xxiii πανελληνιο ÏƒÏ Î½ÎµÎ´ÏÎ¹Î¿ Ï†Ï ÏƒÎ¹ÎºÎ·Ï‚ στερεας καταστασης & επιστημης ...

Σχήμα 1: Φωτογραφία SEM δομής τρανζίστορ ZnO.
Διακρίνουμε τα πλεγμένα ηλεκτρόδια.
Σχήμα 2: Απεικόνιση AFM του οξειδίου του ψευδαργύρου
που εναποτέθηκε με τη βοήθεια παλμικού λέιζερ σε
θερμοκρασία δωματίου.
10 -7
Drain current (A)
10 -9
10 -11
10 -5 V DS
=2 V
V DS
=2 V
V DS
=1 V
V DS
=0.1 V
V DS
=1 V
V DS
=0.1 V
10 -13
gate length
0.6 μm
gate length
2 μm
10 -15
-20 0 20
-20 0 20
Gate bias voltage (V)
Gate bias voltage (V)
Σχήμα 3: Χαρακτηριστικές μεταφοράς τρανζίστορ ZnO για δύο διαφορετικές τιμές μηκών πύλης.
V GS
=5 V
Drain to source current (A)
1.1x10 -5
1.0x10 -5
9.0x10 -6
250 ppm CO synthetic air
synthetic air
in synthetic air
8.0x10 -6
0 50 100 150
Time (min)
Σχήμα 4: Μεταβολή του ρεύματος του απαγωγού για τρανζίστορ με μήκος πύλης 1.7 μm σε περιβάλλον μονοξειδίου του
άνθρακα.
24