23.11.2014 Views

xxiii πανελληνιο συνεδριο φυσικης στερεας καταστασης & επιστημης ...

xxiii πανελληνιο συνεδριο φυσικης στερεας καταστασης & επιστημης ...

xxiii πανελληνιο συνεδριο φυσικης στερεας καταστασης & επιστημης ...

SHOW MORE
SHOW LESS

Create successful ePaper yourself

Turn your PDF publications into a flip-book with our unique Google optimized e-Paper software.

Οργανικά Τρανζίστορ Με Χρήση Υδατοδιαλυτών<br />

Φθαλοκυανινών Μετάλλων Ως Ενεργό Κανάλι<br />

Χαϊδόγιαννος Γ. 1* , Πετράκη Φ. 2 , Γλέζος Ν. 1 , Κέννου Σ. 2 και Nešpůrek S. 3<br />

1<br />

Ινστιτούτο Μικροηλεκτρονικής, ΕΚΕΦΕ «Δημόκριτος», Αγία Παρασκευή, GR 15310, Ελλάδα<br />

2<br />

Τμήμα Χημικών Μηχανικών, Πανεπιστήμιο Πατρών, Πάτρα, GR 26504, Ελλάδα<br />

3<br />

Institute of Macromolecular Chemistry, Academy of Sciences of the Czech Republic, 16206, Prague 6, Czech Republic<br />

* Ηλεκτρονική Διεύθυνση: g.chaidogiannos@imel.demokritos.gr<br />

Σε αυτή την εργασία, μελετάται η κατηγορία των αλάτων φθαλοκυανινών μετάλλων (MePC) και των υδατοδιαλυτών<br />

σουλφονικών αλάτων φθαλοκυανινών μετάλλων με νάτριο (metal phthalocyanine sulfonate sodium salts – MeS x PC) ως<br />

υποψηφία υλικά για p-τύπου κανάλια στα οργανικά τρανζίστορ. Και τα δύο είδη έχουν το προσόν της χημικής και θερμικής<br />

σταθερότητας (παραμένουν σταθερά μέχρι τους 400°C, εύκολα εξαχνούμενα). Οι ευκινησίες πεδίου των MePC στις δομές<br />

τρανζίστορ είναι περίπου 0.02 cm 2 V -1 s -1 (για CuPC). Πρόσφατα αναφέρθηκε μάλιστα μια τιμή ευκινησίας 1 cm 2 V -1 s -1 στην<br />

περίπτωση μονοκρυσταλλικής CuPC [1]. Επιπλέον, οι MePC παρουσιάζουν ενδιαφέρον για ηλεκτρονικές εφαρμογές όπως οι<br />

χημικοί αισθητήρες και τα ηλιακά κύτταρα [2].<br />

Οι MePC αποτίθενται με εξάχνωση σε θάλαμο υπερυψηλού κενού. Όσον αφορά τα σουλφονικά άλατα φθαλοκυανινών<br />

μετάλλων με νάτριο, επιλέχθηκαν λόγω της ενισχυμένης διαλυτότητάς τους έναντι των μη σουλφονικών αντιστοίχων τους,<br />

και είτε προκύπτουν από σύνθεση (για Me=Ni, Co, Zn or Al) ή με προμήθεια από την Aldrich Co (για Me=Cu). Πρόκειται<br />

για καινοτόμα υλικά, τα οποία μπορούν να χρησιμοποιηθούν για την παρασκευή OTFT με πολύ λιγότερη προσπάθεια. Οι<br />

διαδικασίες είναι πολύ απλούστερες και οι αντίστοιχες τιμές ευκινησίας πολύ υψηλότερες. Στην περίπτωση αυτή, το ενεργό<br />

στρώμα προετοιμάζεται με περιστροφή (spin-coating) από υδατικά διαλύματα MeS x PC σε θερμοκρασία δωματίου. Κατόπιν<br />

τα δείγματα ξηραίνονται σε θερμοκρασία 50ºC για 20 min.<br />

Η σύγκριση μεταξύ των διαφόρων φθαλοκυανινών υπό μελέτη είναι βασισμένη στην ηλεκτρική συμπεριφορά τους ανάλογα<br />

με α) τη μέθοδο απόθεσης, β) τον τύπο του μετάλλου και γ) το είδος των υποκαταστατών. Ο στόχος είναι να επιλεχτεί ο<br />

τύπος υλικού και η διαδικασία παρασκευής του φιλμ που θα παρέχει το τρανζίστορ με τη βέλτιστη απόδοση.<br />

Προκαταρκτικές δοκιμές με χρήση του Al(OH)PC(SO 3 Na) x ως οργανικό κανάλι έχουν δώσει ελπιδοφόρα αποτελέσματα [3].<br />

Το πρώτο σύστημα που εξετάζεται είναι της NiPC και μελετάται ως αναφορά. Το Σχήμα 1 παρουσιάζει ένα σύνολο<br />

ηλεκτρικών χαρακτηριστικών για διάταξη με ενεργό κανάλι 50 nm. Η ευκινησία επίδρασης πεδίου υπολογίζεται στα<br />

10 -5 cm 2 V -1 s -1 , μια τιμή που συμφωνεί με βιβλιογραφικές αναφορές [4] και είναι αποδεκτή για τις εφαρμογές στις οποίες τα<br />

υλικά αυτά απευθύνονται.<br />

Id (nA)<br />

-18<br />

-16<br />

-14<br />

-12<br />

-10<br />

-8<br />

-6<br />

-4<br />

-2<br />

Vg=0<br />

Vg=-5<br />

Vg=-10<br />

Vg=-15<br />

Vg=-20<br />

Vg=-25<br />

Vg=-30<br />

0<br />

0 -10 -20 -30 -40 -50<br />

Vd(V)<br />

Id (nA)<br />

-50<br />

-40<br />

-30<br />

-20<br />

-10<br />

Id = f(Vd=Vg)<br />

sqrt(Id)<br />

0<br />

0,0<br />

0 -5 -10 -15 -20 -25 -30<br />

Vg (V)<br />

2,5x10 -4<br />

2,0x10 -4<br />

1,5x10 -4<br />

1,0x10 -4<br />

5,0x10 -5<br />

sqrt(Id) (A 1/2 )<br />

(α)<br />

(β)<br />

Σχήμα 1. (α) Εξάρτηση του ρεύματος Ι d από την τάση V d ενός OFET με 50 nm φιλμ NiPC, αναλογία W/L 23275 και<br />

διηλεκτρικό SiO 2 πάχους 82 nm, αποτεθειμένου σε θερμοκρασία υποστρώματος 100ºC. (β) Εξάρτηση του ρεύματος Ι d και<br />

της τετραγωνικής ρίζας του από την τάση πύλης V g του δείγματος. Η υπολογιζόμενη τιμή ευκινησίας πεδίου είναι 10 -5<br />

cm 2 V -1 s -1 .<br />

Στην περίπτωση των σουλφονικών αλάτων φθαλοκυανινών μετάλλων με νάτριο λαμβάνονται υψηλότερες τιμές ευκινησίας.<br />

Η ένταση του ρεύματος που ρέει μεταξύ πηγής (source) και αποδέκτη (drain) αυξάνεται όσο η τιμή της πύλης (gate) γίνεται<br />

πιο αρνητική, υποδεικνύοντας χαρακτηριστική αγωγιμότητα p-τύπου. Δεδομένου ότι οι MeS x PC δεν μπορούν να<br />

εξαχνωθούν, αφού το υλικό τείνει να καίγεται πριν εξατμιστεί, δεν κατέστη δυνατό να παρασκευαστούν OFETs με αυτές ως<br />

ενεργό κανάλι.<br />

Οι τιμές ευκινησίας που προκύπτουν για ολόκληρη την κατηγορία που έχει ερευνηθεί παρουσιάζονται στον πίνακα 1.<br />

Τα φιλμ των MeS x PC που ετοιμάστηκαν με spin-coating μεταφέρθηκαν σε ένα σύστημα εξαιρετικά υψηλού κενού για<br />

στοιχειομετρική ανάλυση με τη βοήθεια φασματοσκοπίας φωτοηλεκτρονίων από ακτίνες Χ (XPS), βλ. Πίνακα 2.<br />

64

Hooray! Your file is uploaded and ready to be published.

Saved successfully!

Ooh no, something went wrong!