THÈSE - Université Ferhat Abbas de Sétif

3.2 Description du banc d’essais du SAPF
La deuxième partie du schéma de puissance représente le SAPF. Il est constitué
d’un filtre inductif de couplage au réseau, dont la valeur de l’inductance ( L f ) est
égale à la valeur estimée précédemment, et d’un onduleur de tension triphasé. Sur
ce banc, il est possible aussi de constituer un filtre de sortie de type LC . Pour cela,
trois condensateurs sont disponibles et la fréquence de coupure de ces filtres est
alors de fc ≈ 720Hz . Il est à noter que des résistances d’amortissement ( Ram
) sont
(1,2,3)
mises en série avec ces condensateurs. Par ailleurs, pour limiter les courants du
réseau lors du transitoire à la mise en service du SAPF ( C dc)
, un ensemble de
résistances triphasées temporisé est mis en série avec le filtre de sortie (module
temporisations doubles). Ces résistances sont ensuite court-circuitées après la
phase de démarrage.
Tableau 3.9 : Spécifications techniques du SAPF.
Désignation
Self du filtre de sortie (L f)
(Trois self monophasées)
Condensateur du filtre de sortie (C f)
Résistance d’amortissement (R am)
Module temporisations doubles
Onduleur triphasé
(SEMIKRON)
Condensateur de stockage
(C dc )
Spécifications techniques
- Lf= 1 mH ± 5%
-Ieff =20 A
-Icrête=32 A
-Icrête-crête (10KHz)= 4A
-Facteur de qualité (parallèle) :≥ 80
-Fréquence nominale : 50 Hz
-Tension entre phases : créneaux de tension
continue ± 450 V
-Prises intermédiaires : 600µH, 800µH
-Circuit magnétique : ferrites
-Cf=50 µF ± 10%
-Ieff=10 A
-Fréquence nominale : 50 Hz
-Veff= 300V
-Veff(Fond)= 240V
-Ram1=10 Ω ± 1%, 200 W, Ref :284-HS 200-10F
-Ram2=4.7 Ω± 1%, 200 W, Ref :284-HS 200- 4.7F
-Ram3=0.47 Ω± 5%, 200 W, Ref :284-HS 200- 0.47F
- RT1=22 Ω ± 1%, 300 W, Ref : 284-HS 300-22F
- RT2=10 Ω ± 1%, 300 W, Ref : 284-HS 300-10F
1°- Etat initial : RTOT=32Ω
2°- 1 ére temporisation : RT1 court-circuitée, RTOT=10Ω
3°- 2 éme temporisation : RT2 court-circuitée, RTOT=0Ω
-VCE=1200 V
-IC=50A
3 modules SKM50GB123 D
-VGE=15 V
-Vin(max)=3X380V
-T°dissipation=80°
-Electrolytique
2 X (2200 µF/400 V)
SKC 2M2 40A-1 50
-Ceq=1100 µF/800V
-VDCmax=750 V
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