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THÈSE - Université Ferhat Abbas de Sétif

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3.2 Description du banc d’essais du SAPF<br />

puissance. Ce driver est composé <strong>de</strong> <strong>de</strong>ux parties complémentaires pour la<br />

comman<strong>de</strong> <strong>de</strong> <strong>de</strong>ux interrupteurs d’un bras [37 Sem]. Sa particularité est d’avoir<br />

une isolation galvanique par transformateur entre la partie comman<strong>de</strong> et<br />

puissance, évitant ainsi tous risques d’interactions entre ces <strong>de</strong>rnières. Le SKHI 22<br />

génère <strong>de</strong>s retards au niveau <strong>de</strong>s comman<strong>de</strong>s, ajustables en fonction <strong>de</strong> la valeur<br />

<strong>de</strong> Rtd [ kΩ]<br />

pour <strong>de</strong>s applications spécifiques, tel que :<br />

Caractérisé par une seule alimentation pour les <strong>de</strong>ux comman<strong>de</strong>s, la valeur du<br />

gradient <strong>de</strong> tension dV / dt est très élevée ( 24 kV / µ s)<br />

, l’isolement entre la<br />

comman<strong>de</strong> et les IGBT atteint 4kV, le courant <strong>de</strong> crête injecté dans la grille est <strong>de</strong><br />

3.3A, la tension <strong>de</strong> grille<br />

VGE<br />

comprise entre 0V et 15V. Ce module, compatible avec<br />

la technologie CMOS, a une gran<strong>de</strong> immunité au bruit, possè<strong>de</strong> une protection<br />

contre les courts-circuits et une coupure adoucie <strong>de</strong> ces <strong>de</strong>rniers.<br />

3.2.7 Analyse expérimentale <strong>de</strong>s signaux <strong>de</strong> comman<strong>de</strong><br />

Grâce à l’instrumentation utilisée dans le système <strong>de</strong> comman<strong>de</strong>, une série <strong>de</strong><br />

mesures pratiques ont permis d’évaluer réellement l’ordre <strong>de</strong>s temps nécessaires à<br />

la montée et à la <strong>de</strong>scente <strong>de</strong> la comman<strong>de</strong> ( t con,<br />

tcoff)<br />

, les retards à l’ouverture et à la<br />

fermeture <strong>de</strong>s IGBT ( ∆ ton,<br />

∆toff<br />

) et les temps morts entre les <strong>de</strong>ux comman<strong>de</strong>s<br />

complémentaires du même bras ( ∆ tdt)<br />

. Les résultats exposés correspon<strong>de</strong>nt à une<br />

MLI intersective sinusoïdale où la fréquence <strong>de</strong> la porteuse est fixée à<br />

une tension <strong>de</strong> valeur efficaceVs<br />

T<br />

= 2.7 + 0.13⋅Rtd<br />

( s)<br />

(3.86)<br />

Rtd µ<br />

= 100V et un courant d’IGBT <strong>de</strong> If = 3.4A .<br />

fm<br />

= 10kHz ,<br />

Uac (V) ComB<br />

ComB Uac (V) ComH<br />

ComH<br />

Uac (V)<br />

t (s)<br />

t (s)<br />

(a)<br />

FIG. 3.24- Signaux expérimentaux <strong>de</strong>s comman<strong>de</strong>s d’un bras <strong>de</strong> l’onduleur,<br />

et sa tension composée Uac.<br />

(b)<br />

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