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THÈSE - Université Ferhat Abbas de Sétif

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5.1 Etu<strong>de</strong> <strong>de</strong> la comman<strong>de</strong> en courant du SAPF (D.C.C.)<br />

<strong>de</strong>s CANs vont être exploités par l’algorithme <strong>de</strong> comman<strong>de</strong> entièrement numérique<br />

implanté sur la carte DS1104. Ainsi, à partir du régulateur IP 5 et <strong>de</strong>s sinusoï<strong>de</strong>s<br />

unitaires issues <strong>de</strong> la P.L.L, nous obtenons les trois références <strong>de</strong> courants. Les<br />

courants <strong>de</strong> la source vont être comparés à ces <strong>de</strong>rnières via <strong>de</strong>s comparateurs à<br />

hystérésis à ban<strong>de</strong> fixe, afin <strong>de</strong> générer les signaux <strong>de</strong> comman<strong>de</strong> numériques à<br />

partir du port Digital I/O situé sur le connecteur <strong>de</strong> la carte DS1104.<br />

5.1.3.1 Résultats <strong>de</strong> simulation<br />

La simulation du système global (source, charge, SAPF) est effectuée sous<br />

l’environnement Matlab\Simulink ® . Afin d’obtenir une analyse objective et concrète<br />

<strong>de</strong>s résultats <strong>de</strong> simulations et <strong>de</strong> se rapprocher du comportement du système<br />

physique (banc d’essais), toute la partie <strong>de</strong> puissance a été programmée en<br />

exploitant les modules SimPowerSystems et en les paramétrant avec les mêmes<br />

valeurs caractérisant les composants réels. Le tableau 5.1 résume les paramètres<br />

<strong>de</strong> simulation du SAPF en régime permanent.<br />

Tableau 5.1 : Paramètres <strong>de</strong> simulation du SAPF.<br />

Système Désignations Valeurs<br />

La tension efficace<br />

→ V s= 100 V.<br />

Source<br />

d’alimentation<br />

<br />

<br />

<br />

La fréquence<br />

La résistance interne<br />

L’inductance interne<br />

→<br />

f = 50 Hz.<br />

→ R s= 0.1 Ω.<br />

→<br />

L s= 0.1 mH.<br />

Charge<br />

non<br />

linéaire<br />

<br />

<br />

Pont Redresseur triphasé (PD3)<br />

alimentant une charge R-L<br />

Inductance <strong>de</strong> filtrage à l’entrée du<br />

pont (PD3)<br />

→ R L1= 30 Ω.<br />

→ R L2= 16.15 Ω<br />

→ L = 1 mH.<br />

→ R c= 0.01 Ω.<br />

→ L c = 0.566 mH.<br />

<br />

Capacité <strong>de</strong> stockage<br />

→<br />

C dc= 1100 µF.<br />

S.A.P.F<br />

<br />

<br />

Inductance <strong>de</strong> couplage<br />

Tension <strong>de</strong> Référence<br />

→ L f = 1 mH.<br />

→ V dcref = 283 V.<br />

<br />

Temps d’échantillonnage<br />

→<br />

T e= 1µs.<br />

Conditions<br />

<strong>de</strong> simulation<br />

<br />

<br />

<br />

Type <strong>de</strong> pas<br />

Métho<strong>de</strong> <strong>de</strong> résolution<br />

Ban<strong>de</strong> d’hystérésis<br />

→<br />

→<br />

→<br />

Pas fixe.<br />

Euler (o<strong>de</strong>1).<br />

HB= 0.2A.<br />

4 Voir § 3.2.4.1-b pour plus <strong>de</strong> détail.<br />

5 De plus amples détails sur la synthèse du régulateur IP sont exposés au paragraphe4.6.3.2-a.<br />

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