THÃSE - Université Ferhat Abbas de Sétif
THÃSE - Université Ferhat Abbas de Sétif
THÃSE - Université Ferhat Abbas de Sétif
You also want an ePaper? Increase the reach of your titles
YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.
5.1 Etu<strong>de</strong> <strong>de</strong> la comman<strong>de</strong> en courant du SAPF (D.C.C.)<br />
<strong>de</strong>s CANs vont être exploités par l’algorithme <strong>de</strong> comman<strong>de</strong> entièrement numérique<br />
implanté sur la carte DS1104. Ainsi, à partir du régulateur IP 5 et <strong>de</strong>s sinusoï<strong>de</strong>s<br />
unitaires issues <strong>de</strong> la P.L.L, nous obtenons les trois références <strong>de</strong> courants. Les<br />
courants <strong>de</strong> la source vont être comparés à ces <strong>de</strong>rnières via <strong>de</strong>s comparateurs à<br />
hystérésis à ban<strong>de</strong> fixe, afin <strong>de</strong> générer les signaux <strong>de</strong> comman<strong>de</strong> numériques à<br />
partir du port Digital I/O situé sur le connecteur <strong>de</strong> la carte DS1104.<br />
5.1.3.1 Résultats <strong>de</strong> simulation<br />
La simulation du système global (source, charge, SAPF) est effectuée sous<br />
l’environnement Matlab\Simulink ® . Afin d’obtenir une analyse objective et concrète<br />
<strong>de</strong>s résultats <strong>de</strong> simulations et <strong>de</strong> se rapprocher du comportement du système<br />
physique (banc d’essais), toute la partie <strong>de</strong> puissance a été programmée en<br />
exploitant les modules SimPowerSystems et en les paramétrant avec les mêmes<br />
valeurs caractérisant les composants réels. Le tableau 5.1 résume les paramètres<br />
<strong>de</strong> simulation du SAPF en régime permanent.<br />
Tableau 5.1 : Paramètres <strong>de</strong> simulation du SAPF.<br />
Système Désignations Valeurs<br />
La tension efficace<br />
→ V s= 100 V.<br />
Source<br />
d’alimentation<br />
<br />
<br />
<br />
La fréquence<br />
La résistance interne<br />
L’inductance interne<br />
→<br />
f = 50 Hz.<br />
→ R s= 0.1 Ω.<br />
→<br />
L s= 0.1 mH.<br />
Charge<br />
non<br />
linéaire<br />
<br />
<br />
Pont Redresseur triphasé (PD3)<br />
alimentant une charge R-L<br />
Inductance <strong>de</strong> filtrage à l’entrée du<br />
pont (PD3)<br />
→ R L1= 30 Ω.<br />
→ R L2= 16.15 Ω<br />
→ L = 1 mH.<br />
→ R c= 0.01 Ω.<br />
→ L c = 0.566 mH.<br />
<br />
Capacité <strong>de</strong> stockage<br />
→<br />
C dc= 1100 µF.<br />
S.A.P.F<br />
<br />
<br />
Inductance <strong>de</strong> couplage<br />
Tension <strong>de</strong> Référence<br />
→ L f = 1 mH.<br />
→ V dcref = 283 V.<br />
<br />
Temps d’échantillonnage<br />
→<br />
T e= 1µs.<br />
Conditions<br />
<strong>de</strong> simulation<br />
<br />
<br />
<br />
Type <strong>de</strong> pas<br />
Métho<strong>de</strong> <strong>de</strong> résolution<br />
Ban<strong>de</strong> d’hystérésis<br />
→<br />
→<br />
→<br />
Pas fixe.<br />
Euler (o<strong>de</strong>1).<br />
HB= 0.2A.<br />
4 Voir § 3.2.4.1-b pour plus <strong>de</strong> détail.<br />
5 De plus amples détails sur la synthèse du régulateur IP sont exposés au paragraphe4.6.3.2-a.<br />
184