10.07.2015 Views

(Cd,Mn)Te - Instytut Fizyki PAN

(Cd,Mn)Te - Instytut Fizyki PAN

(Cd,Mn)Te - Instytut Fizyki PAN

SHOW MORE
SHOW LESS

Create successful ePaper yourself

Turn your PDF publications into a flip-book with our unique Google optimized e-Paper software.

wewnętrzny efekt fotoelektryczny, rozpraszanie komptonowskie, kreacja par elektron-pozyton, reakcje fotojądrowe – niezwykle rzadkie –występują przy odpowiedniodużej energii promieniowania (E γ > 18,6 MeV).Promieniowanie gamma mieści się w granicach kwantu energii większejod 10 keV, co odpowiada długości fali mniejszej od 124 pm. Zakres ten częściowopokrywa się z zakresem promieniowania rentgenowskiego.Promieniowanie X w praktyce otrzymuje się (np. w lampie rentgenowskiej)poprzez wyhamowywanie rozpędzonych elektronów w ośrodku o dużej liczbieatomowej (Z > 20). Dlatego też używamy w takim przypadku nazwy - promieniowaniehamowania. Efektem tego zjawiska jest powstanie promieniowania o ciągłejcharakterystyce. Zawiera ono również piki pochodzące od promieniowaniacharakterystycznego anody, ponieważ rozpędzone elektrony wybijają elektronyz atomów anody. Luki po wybitych elektronach na dolnych powłokach elektronowychpozostają puste do czasu, aż zapełnią je elektrony z wyższej powłoki. Elektronprzechodząc z wyższego stanu emituje kwant promieniowania rentgenowskiegoi następuje emisja charakterystycznego promieniowania X. Poprzez taki procesuzyskuje się dyskretne wartości energii. Promieniowanie X powstaje także w wynikuwychwytu elektronu. Jądro atomu przechwytuje elektron znajdujący się na powłoceK, co powoduje powstanie wolnego miejsca, na które spadają elektrony z wyższychpowłok i następuje emisja kwantu X. Energie fotonów X są typowe w zakresieod 1 keV do 10 MeV. Zakres promieniowania rentgenowskiego znajduje się pomiędzyultrafioletem i promieniowaniem gamma. W wielu publikacjach rozróżnieniepromieniowania gamma oraz promieniowania X opiera się na ich źródłach,a nie na długości fali.W przypadku rozważań w niniejszej rozprawie, zakres energii odpowiednichdla materiałów półprzewodnikowych wykorzystywanych do produkcji detektorówpromieniowania X i gamma zawiera się w granicach od 10 keV do 500 keV.10

Hooray! Your file is uploaded and ready to be published.

Saved successfully!

Ooh no, something went wrong!