(Cd,Mn)Te - Instytut Fizyki PAN
(Cd,Mn)Te - Instytut Fizyki PAN
(Cd,Mn)Te - Instytut Fizyki PAN
You also want an ePaper? Increase the reach of your titles
YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.
Wykonane także zostały (metodą SIMS) profile składu pierwiastkowego warstwmonokrystalicznych hodowanych na naszych podłożach (<strong>Cd</strong>,<strong>Mn</strong>)<strong>Te</strong> oraz na podłożuGaAs/(<strong>Cd</strong>,<strong>Mn</strong>)<strong>Te</strong>. Rysunek 5.2.12 (A-C) obrazuje jak rozkłada się koncentracjapierwiastków w warstwie a następnie w materiale stanowiącym podłoże. Zaznaczonezostały dosyć wyraźnie na rys. 5.2.12 A-C interfejsy (materiał – warstwa) na każdej zbadanych płytek, a także dobrze widoczny jest rozkład domieszki (Sb – rys. 5.2.12 Aoraz I – rys. 5.2.12 B i C) w warstwie monokrystalicznej.A) B) C)Rysunek 5.2.12. Skład pierwiastkowy płytek z monokrystalicznymi warstwami: A) 4527A podłoże(<strong>Cd</strong>,<strong>Mn</strong>)<strong>Te</strong> :V o grubości 2,5 mm z warstwą Zn<strong>Te</strong>:Sb o grubości 1 μm; B) 4580A podłoże(<strong>Cd</strong>,<strong>Mn</strong>)<strong>Te</strong>:V o grubości 2,5 mm z warstwą <strong>Cd</strong><strong>Te</strong>:I o grubości 1 μm; C) 020409A na podłożu GaAswzrośnięto monokrystaliczną warstwą (<strong>Cd</strong>,<strong>Mn</strong>)<strong>Te</strong> o grubości 3 μm a na niej wyhodowano warstwa<strong>Cd</strong><strong>Te</strong>:I o grubości 1 μm.Podsumowując, dopóki na płytce (<strong>Cd</strong>,<strong>Mn</strong>)<strong>Te</strong> tylko z jednej strony był kontaktw postaci monokrystalicznej warstwy Zn<strong>Te</strong>:Sb albo <strong>Cd</strong><strong>Te</strong>:In, charakterystyki I-V byłydobre i liniowe w całym zakresie. Problem pojawił się, gdy na tej samej płytce z drugiejstrony została wyhodowana ta sama (lub inna jak na rys.5.2.3 C) monokrystalicznawarstwa. Wtedy charakterystyki I-V były bardzo nie liniowe i pomimo wielu testównie udało się uzyskać poprawnego wyniku w postaci linowych charakterystyk I-V.Problemem wydaje się wysoka temperatura podłoża podczas procesu wzrostu tejwarstwy z drugiej strony płytki.Według naszej opinii wpływa ona na zmiany w strukturze wcześniej wzrośniętejwarstwy (a dokładnie zmiany na interfejsie warstwa – (<strong>Cd</strong>,<strong>Mn</strong>)<strong>Te</strong>). Jednakżefizycznego mechanizmu tych zmian nie znamy. W końcowym efekcie jedyniena charakterystykach I-V można zauważyć zmiany i co najważniejsze spadek opornościwłaściwej materiału.Inne badania (dyfrakcji rentgenowskiej, chropowatość powierzchni, czy teżpomiary transportowe i profile SIMS) wykazały, iż warstwy są monokrystaliczne.121
Change language