(Cd,Mn)Te - Instytut Fizyki PAN

4.1. FIZYCZNE PODSTAWY WZROSTU WARSTWIstotną rolę podczas wzrostu epitaksjalnego odgrywają parametry związanez podłożem. Na powierzchni podłoża zachodzą procesy krystalizacji, które wpływają narozkład przestrzenny atomów (cząstek) tworzących sieć krystaliczną cienkiej warstwy.Biorąc pod uwagę typ (skład chemiczny) podłoża możemy procesy krystalizacjipodzielić na dwie grupy: homoepitaksja (autoepitaksja) mająca miejsce wtedy, gdy skład chemicznypodłoża i skład wzrastanej warstwy są takie same, heteroepitaksja – zachodząca wtedy, gdy składy chemiczne osadzonej warstwyi podłoża są różne.Czynniki, które wpływają na proces epitaksji z punktu widzenia podłożai wzrastanej warstwy to: orientacja krystalograficzna podłoża, krystalograficzna struktura powierzchni (defekty sieci, rekonstrukcja lubrelaksacja powierzchni), stopień dopasowania stałych sieci krystalicznej.Ze względu na parametry takie jak: intensywność emitowanych strumieniz komórek efuzyjnych, prędkość procesów kinetycznych na powierzchni, czytemperatura podłoża, można wyszczególnić trzy mody wzrostu epitaksjalnego,jak to przedstawia rys. 4.1.1. O modzie wzrostu decyduje przede wszystkimdopasowanie stałych sieci, współczynnik przylgnięcia (sc) oraz stechiometria (stosunekgęstości strumieni osadzanych pierwiastków).Rysunek 4.1.1. Schemat reprezentujący trzy modywzrostu warstw: A) Franka – van der Merwego –„warstwa po warstwie”, B) Stranskiego – Krastanowa– „warstwa plus wysepka”. Na początku warstwakrystalizuje w modzie A, gdy osiągnie grubość jednejlub więcej monowarstw atomowych następujekrystalizacja w modzie C; C) Volmera-Webera –„wyspowy”. Parametr Θ reprezentuje obszarpokrycia, ML – monowarstwa (monolayer) [2].Podczas wzrostu w komorze MBE możemy wyróżnić trzy strefy (rys. 4.1.2),gdzie zachodzą procesy fizyczne prowadzące do krystalizacji materiału na podłożu: Strefa formowania się wiązek molekularnych. Jest to strefa generacji strumienimolekularnych materiałów wykorzystywanych podczas hodowli warstw.88