(Cd,Mn)Te - Instytut Fizyki PAN

4. EPITAKSJA Z WIĄZEK MOLEKULARNYCH - MBECzęść doświadczalna rozprawy skupiona jest na charakteryzacji cienkichwarstw, jako elektrycznych kontaktów do wysokooporowych płytek (Cd,Mn)Te.Aparatura MBE została użyta do wzrostu oraz napylania odpowiednich warstwstanowiących kontakty do półizolującego materiału. Posłużyła do wykonaniawszystkich typów cienkich warstw na podłożach z kryształów otrzymywanychw laboratorium ON 1.1 IF PAN. Rozdział ten poświecony jest przedstawieniu:‣ ogólnej charakterystyki maszyn do epitaksji i ich głównych podzespołów,‣ podstaw metody wzrostu cienkich warstw epitaksjalnych,‣ obserwacji wzrastających i napylanych warstw przy użyciu dyfrakcji elektronów(Reflection High-Energy Electron Diffraction – RHEED),‣ aparatury MBE (własnej konstrukcji) użytej w badaniach,‣ metod przygotowania powierzchni do procesów wzrastania i napylania,‣ opisu przebiegu wzrostu oraz napylania krystalicznych cienkich warstw.Pochodzenie nazwy „epitaksja” wywodzi się z greckich słów „epi” – na, oraz„taxis” – porządek. Proces epitaksji jest zorientowanym krystalograficznie wzrostemwarstwy monokrystalicznej zachodzącym na powierzchni odpowiednioprzygotowanego podłoża. Wynikiem tego procesu jest otrzymanie cienkiej warstwyo kompozycji i orientacji określonej przez strukturę oraz orientację kryształu podłoża(tzw. substratu).Epitaksja z wiązek molekularnych (Molecular Beam Epitaxy - MBE) jest bardzowyrafinowaną techniką i jedną z bardziej rozpowszechnionych metod hodowli cienkichmonokrystalicznych warstw. Umożliwia ona wzrost cienkich warstw o grubości rzędunanometrów o ściśle określonym składzie chemicznym i precyzyjnym profilukoncentracji domieszek. Przy pomocy tej metody możliwe jest również wytwarzaniestruktur wielowarstwowych złożonych ze związków o różnych strukturachelektronowych. Dotyczy to zarówno struktur półprzewodnikowych jak i dielektryków,czy metali. Metoda ta daje także możliwość: doskonałej kontroli ostrości interfejsu, otrzymywania pojedynczej warstwy atomowej, wzrastania supersieci (o okresie od kilku Å), domieszkowania cienkich warstw w szerokim zakresie.78