(Cd,Mn)Te - Instytut Fizyki PAN

Rysunek 2.4.3.2. Obrazy kryształów po trawieniu na ujawnienie bliźniaków i ziaren oraz wyróżnieniestron kadmowej i tellurowej. Zaznaczone obszary są w granicach 2x2 cm.Proces ten powoduje zbieranie około 100 μm zdefektowanej powierzchni.Następnie płytki są myte w wodzie destylowanej i płukane w metanolu (często przyużyciu płuczek ultradźwiękowych).Kolejnym etapem przygotowania powierzchni płytek jest chemiczno -mechaniczne polerowanie. Odbywa się ono poprzez mechaniczny ruch próbki popowierzchni gumy zwilżonej roztworem chemicznym. Do polerowania używamyroztwór w skład którego wchodzą: metanol, glikol etylowy i brom (2 % bromuw roztworze) w odpowiednich proporcjach. W ten sposób uzyskujemy prawie atomowogładką powierzchnię.Trawienie półprzewodnika odbywa się podczas selektywnej reakcji atomówpowierzchni z poszczególnymi reagentami roztworu chemicznego. Do trawieniapowierzchni płytek (Cd,Mn)Te stosujemy 9 - 10 % roztworu bromu z metanolem.Następnie płytki muszą być bardzo starannie płukane, by pozbyć się z powierzchniproduktów reakcji. Pocięte, wypolerowane i wytrawione płytki (Cd,Mn)Te umieszczanesą w kwarcowej ampule z kawałkiem Cd, w specjalnych kwarcowych koszyczkach.Następnie odpompowuje się ampułę i zamyka ją kwarcowym korkiem. Płytkiwkładamy tak do koszyczka w ampule, aby ich strona tellurowa była bliżejzaślepionego końca ampuły jak na rys.2.4.3.3.Rysunek 2.4.3.3. Schemat układu dowygrzewania próbek.51