(Cd,Mn)Te - Instytut Fizyki PAN

Na podstawie otrzymanych charakterystyk I-V (rys. 5.2.6) można stwierdzić,że problematyczne jest wykonanie dobrych kontaktów w postaci monokrystalicznychwarstw na obydwu stronach płytki (Cd,Mn)Te. Wyprzedzając końcowe wnioski z tegorozdziału powiedzieć można, że wykonywanie w warunkach MBE kontaktu na drugiejstronie próbki niszczy zrobioną już strukturę na pierwszej stronie próbki. Dlatego teżdalsza cześć pracy będzie dotyczyć charakteryzacji warstw hodowanych wyłącznie najednej stronie materiału podłożowego.Przedstawione w dalszej części wyniki dotyczą monokrystalicznych warstw(oraz w kolejnym podrozdziale 5.3 warstw amorficznych) wykonanych w maszynieMBE w zespole ON 1.1 oraz u prof. T. Wojtowicza (SL 3, IF PAN w Warszawie).Monokrystaliczne warstwy wzrastane w MBE prof. T. Wojtowicza to CdTe:IOtrzymywane tam warstwy były hodowane na dwóch typach podłoży:(1) pierwszym było GaAs/(Cd,Mn)Te, gdzie (Cd,Mn)Te o grubości 4 μm stanowiłowarstwę monokrystaliczną wzrośniętą na podłożu z GaAs (o grubości około1 mm), ze składem Mn 5% oraz orientacją (100),(2) drugim była monokrystaliczna płytka (Cd,Mn)Te o grubości 2,5 mmdomieszkowana wanadem (V = 4·10 17 cm -3 ), wycięta z naszych kryształówo koncentracji Mn 5% i orientacji (111).Większą część wyników opracowywana była na warstwach hodowanychw naszej maszynie MBE, gdzie wzrastane były warstwy CdTe:In oraz ZnTe:Sb.W celu ustalenia jakości krystalograficznej wzrośniętych warstw wykonanezostały badania dyfrakcji rentgenowskiej (parametry przyrządu i opis metody zawartyjest w rozdziale 6.1). Dane z wykonanych pomiarów dyfrakcji rentgenowskiej (rys.5.2.7) dla poszczególnych próbek przedstawia tabela 5.2.1.Według danych doświadczalnych (tab. 5.2.1) szerokość połówkowa (FWHM)dla podłoży jest większa niż dla wzrastanych na nich warstw. Co oznacza,że epitaksjalne warstwy są pod względem struktury lepsze niż podłoża, zarównote hodowane w warunkach ultra wysokiej próżni rzędu 10 -9 Tr (MBE u prof.T. Wojtowicza - próbka nr 020409A i 4580A) jak i te hodowane w próżni rzędu 10 -7 Tr(nasze MBE - próbka nr 4527). Parametr stałej sieci dla podłoży z monokrystalicznychpłytek (4527 i 4580) i epitaksjalnej warstwy (Cd,Mn)Te na GaAs) zmieniają się dopierona czwartym miejscu po przecinku. W przypadku warstw epitaksjalnych parametr stałejsieci dla p typu ZnTe wyniósł 6,114 Å, gdzie literatura podaje wartość a=6,103 Å [4],zaś dla n typu CdTe wyniósł 6,489 Å a literatura podaje wartość a=6,4813 Å [4].116