(Cd,Mn)Te - Instytut Fizyki PAN

Rysunek 5.2.9. Charakterystyki I-V dla płytki (4580A) z monokrystaliczną warstwą CdTe:I w postacikontaktu o grubości 1 μm. Oporność właściwa podłoża (Cd,Mn)Te wyniosła ρ=5·10 9 Ωcm. Wartośćoporu: A) dla pomiaru 2 sondowego R=1,3·10 11 Ω; B) dla pomiaru 4 sondowego R=4,5·10 10 Ω.Rysunek 5.2.10. Charakterystyki I-V dla płytki (4527A) z monokrystaliczną warstwą ZnTe:Sbw postaci kontaktu o grubości 1 μm. Oporność właściwa podłoża (Cd,Mn)Te wyniosła ρ=4·10 8 Ωcm.Wartość oporu: A) dla pomiaru 2 sondowego R=7,9·10 9 Ω; B) dla pomiaru 4 sondowego R=1,9·10 9 Ω.Rysunek 5.2.11. Charakterystyki I-V dla płytki (4527B) z monokrystaliczną warstwą CdTe:Inw postaci kontaktu o grubości 1 μm. Oporność właściwa podłoża (Cd,Mn)Te wyniosła ρ=3,8·10 8 Ωcm.Wartość oporu: A) dla pomiaru 2 sondowego R=8,2·10 9 Ω; B) dla pomiaru 4 sondowego R=2,5·10 9 Ω.Dla pomiarów 4 sondowych liniowe charakterystyki dają jedynie informacjeo jednorodności materiału podłoża i dokładnej wartości jego oporności właściwej.We wszystkich przypadkach (rys. 5.2.9 - 5.2.11) różnica pomiędzy wartością oporuw pomiarze 2 a 4 sondowym (około 3 razy) wynika z geometrii układu sondpomiarowych. Odległość sond 1-4 przy pomiarze 2 sondowym jest około 3 razywiększa od odległości sond 2-3 przy pomiarze 4 sondowym (rys. 5.2.3B).120