(Cd,Mn)Te - Instytut Fizyki PAN

37. J. C. Launay, V. Mazoyer, M. Tapiero, J. P. Zielinger, Z. Guellil, P. Delaye, G.Roosen, Appl. Phys. A55, (1992).38. H. J. Bardeleban, J. C. Launay, V. Mazoyer, Appl. Phys. Lett. 63 (8), (1993).39. P. Peka, M. U. Lahr, H.-J. Schulz, R. Schwarz, K.W. Benz, Appl. Phys. A58,(1994).40. P. Peka, H. R. Selber, H.-J. Schulz, R. Schwarz, K. W. Benz, Solid State. Comm.98 (8), (1996).41. P. Peka, M. U. Lehr, H. –J. Schulz, U. W. Pohl, J. Kreissl, K. Irmscher, Phys. RevB53 (4), (1996).42. H. R. Selber, P. Peka, S. W. Biernacki, H. –J. Schulz, R. Schwarz, K. W. Benz,Semicond. Sci. Technol 14, (1999).43. M. Witkowska-Baran, A. Mycielski, A. J. Szadkowski, E. Łusakowska, V. Domukhovski,R. Jakieła, B. Witkowska, and W. Kaliszek, „Semi-insulating(Cd,Mn)Te:V crystals: Electrical contacts” phys. stat. sol. (b)244, No. 5, (2007).44. P. Christmann, B. K. Meyer, J. Kreissl, R. Schwarz, K. W. Benz, Phys. Rev. B 53,(1996).45. P.D. Brown et all. J. Crystal Growth 101 (1990).46. M. Inoue, I. Teramoto, S. Takayanagi, “Etch Pits and Polarity in CdTe Crystals”J. App. Phys. Vol. 33, N.8, (1962).57