(Cd,Mn)Te - Instytut Fizyki PAN

More documents

Recommendations

Info

Wykonano charakterystyki I-V dla płytek z amorficzną warstwą w temperaturzepokojowej i w temperaturze ciekłego azotu. W metalach występują dwa mechanizmyrozpraszania elektronów na fononach i na domieszkach.Rozpraszanie na fononach ma miejsce w dostatecznie wysokich temperaturach(powyżej 100 K) zaś rozpraszanie na domieszkach, ma miejsce w niskich temperaturach(rzędu paru K). Wzrost temperatury powoduje zatem spadek wartości ruchliwościnośników oraz parametru przewodności właściwej metali (w odpowiednio wysokichtemperaturach). Zależność oporności właściwej od temperatury ρ(T) dla większościmetali stanowi zbliżoną do liniowej zależność temperaturową.Dla półprzewodników samoistnych i domieszkowych zależność przewodnościelektrycznej od temperatury jest uwarunkowana głównie zależnością koncentracjinośników od temperatury. W obszarze niskich temperatur dominuje przewodnictwodomieszkowe, w temperaturach wysokich przeważa przewodnictwo samoistne.Przewodność właściwa związana jest z temperaturą silną zależnością typuwykładniczego.Dla czterech płytek, gdzie w procesach napylania temperatury podłoża wynosiły80 i 150° C pomiar oporu w temperaturze pokojowej wyniósł około R ≈ 10 5 Ω (dlawarstw ZnTe:Sb) i R ≈ 10 6 Ω (dla warstw CdTe:In), zaś te same próbki zanurzonew ciekłym azocie dały wartość oporu rzędu R ≈ 10 12 Ω zarówno warstwy ZnTe:Sb jaki CdTe:In. Sytuacja wyglądała inaczej w przypadku dwóch płytek z warstwamiZnTe:Sb i CdTe:In, gdzie temperatura podłoża podczas napylania wynosiła 250°C.Wartości oporu w temperaturze pokojowej dla:1) ZnTe:Sb → R ≈ 2,5·10 3 Ω, i 2) CdTe:In → R ≈ 3·10 3 Ω.Natomiast pomiary w temperaturze ciekłego azotu wykazały opory dla:1) ZnTe:Sb → R ≈ 5,3·10 3 Ω, i 2) CdTe:In → R ≈ 7,2·10 3 Ω.Takie zachowanie może być tłumaczone tym, że przy temperaturze podłoża250 °C ma miejsce bardziej efektywne domieszkowanie powstającej amorficznejwarstwy. W rezultacie może mieć miejsce przewodnictwo zbliżone do metalicznegojeżeli założymy, że otrzymaliśmy bardzo szerokie odpowiednio dla akceptorów idonorów pasmo domieszek (zachodzące na odpowiednio pasmo przewodnictwa czywalencyjne). Zarówno dla warstwy ZnTe:Sb jak i CdTe:In napylanych w temperaturzepodłoża rzędu 250 °C otrzymano z pomiaru Halla (przy całych do tego pomiaruzastrzeżeniach) koncentracje nosików na poziomie 2 - 9·10 20 cm -3 (czyli 100 razywiększą niż dla temperatur podłoża 80 i 150°C).142
Na podstawie tych pomiarów można chyba stwierdzić, że napylane warstwyw temperaturach 80 i 150° C wykazują tendencje do przewodnictwa zbliżonego dopółprzewodnikowego (prawdopodobnie nanokrystality są dekorowane przezdomieszkę) zaś w temperaturze 250° C przewodnictwa zbliżonego do metalicznego.143
Page 1:
INSTYTUT FIZYKI POLSKIEJ AKADEMII N
Page 6 and 7:
1.1. CEL I STRESZCZENIE ROZPRAWYNin
Page 8 and 9:
Nowe pomysły na wykonanie kontakt
Page 10 and 11:
wewnętrzny efekt fotoelektryczny,
Page 12 and 13:
W półprzewodniku fotoelektron bę
Page 14 and 15:
ozprawy.odpowiednia szerokość prz
Page 16 and 17:
Rysunek 2.1.7. Zależność absorpc
Page 18 and 19:
Mimo, że detektory promieniowania
Page 20 and 21:
Rysunek 2.2. 1. Prosta geometria de
Page 22 and 23:
Parametry wymagane od materiałów
Page 24 and 25:
Iloczyn μτ jest bardzo istotnym p
Page 26 and 27:
Pomiędzy serią elektrod (dynod) p
Page 28 and 29:
Rysunek 2.2.2. Porównanie uzyskane
Page 30 and 31:
Rysunek 2.2.4. Kryształy do produk
Page 32 and 33:
2.3. MECHANIZM ZBIORU NOŚNIKÓW Ł
Page 34 and 35:
Sytuacja ta pozwala na przejście e
Page 36 and 37:
powierzchni (111) pomiędzy płaszc
Page 38 and 39:
Temperaturową zmianę szerokości
Page 40 and 41:
gdzie C solid oznacza skład molowy
Page 42 and 43:
Po stopieniu materiału źródłowe
Page 44 and 45:
Ze względu na materiał, o którym
Page 46 and 47:
Manipulując intencjonalnymi domies
Page 48 and 49:
Nr wytopuKryształy (Cd,Mn)Tekoncen
Page 50 and 51:
Związane jest to z polarnością k
Page 52 and 53:
W kolejnym kroku wkładamy ampułę
Page 54 and 55:
Obraz krawędzi płytki z licznymi
Page 56 and 57:
17. J. D. Eskin, „Current state-o
Page 58 and 59:
3. KONTAKTY ELEKTRYCZNEUzyskanie do
Page 60 and 61:
Odpowiedni dobór metalu (pracy wyj
Page 62 and 63:
Przykładowo dla CdTe typu p praca
Page 64 and 65:
przypowierzchniowej półprzewodnik
Page 66 and 67:
Cały proces odbywa się w warunkac
Page 68 and 69:
W przypadku CdTe i (Cd,Zn)Te wielu
Page 70 and 71:
Wszystkie metody opierają się na
Page 72 and 73:
Prace [27-29] dokładnie opisują s
Page 74 and 75:
W kwestii obniżenia LC autorzy pra
Page 76 and 77:
BIBLIOGRAFIA DO ROZDZIAŁU 31. T. P
Page 78 and 79:
4. EPITAKSJA Z WIĄZEK MOLEKULARNYC
Page 80 and 81:
Temperatura źródła zależy od ty
Page 82 and 83:
W dolnej części komory umieszczon
Page 84 and 85:
Komora reakcyjna dodatkowo opatrzon
Page 86 and 87:
Zakładając, że transport atomów
Page 88 and 89:
4.1. FIZYCZNE PODSTAWY WZROSTU WARS
Page 90 and 91:
dysocjacja adsorbowanych molekuł;
Page 92 and 93: W przypadku elektronów o energii r
Page 94 and 95: Zależność opisującą prawdopodo
Page 96 and 97: Związane jest to z ewolucją mecha
Page 98 and 99: Płytki o grubości 2-3 mm poddawan
Page 100 and 101: Powierzchnia zbyt chropowata by wyk
Page 102 and 103: 4.4. STANDARDOWY PRZEBIEG PROCESÓW
Page 104 and 105: W przypadku monowarstw ZnTe:Sb oraz
Page 106 and 107: BIBLIOGRAFIA DO ROZDZIAŁU 41. Z. R
Page 108 and 109: jaką jest napylanie na półizoluj
Page 110 and 111: Rysunek 5.1.1. Charakterystyka I-V
Page 113 and 114: 5.2. MONOKRYSTALICZNE WARSTWY JAKO
Page 115 and 116: W obszarze złącza monokrystaliczn
Page 117 and 118: Nr próbkiPodłożeWarstwaFWHM(arc
Page 119 and 120: Badania te na warstwach monokrystal
Page 121 and 122: Wykonane także zostały (metodą S
Page 123 and 124: 5.3. AMORFICZNE WARSTWY JAKO KONTAK
Page 125 and 126: Poziom energii Fermiego jest blisko
Page 127 and 128: Niezależnie przez którą z sond (
Page 129 and 130: Na rys. 5.3.4 B i 5.3.5 B widać li
Page 131 and 132: Pamiętać trzeba, że dla warstwy
Page 133 and 134: 5.3.1. OPTYMALIZACJA GRUBOŚCI WARS
Page 135 and 136: We wszystkich trzech przypadkach mo
Page 137 and 138: Jednak w naszej opinii powierzchnia
Page 139 and 140: Rysunek 5.3.1.6. Charakterystyki I-
Page 141: Jedyną istotną informacją jaką
Page 145 and 146: Po wyznaczeniu charakterystyk I-V z
Page 147 and 148: 5.3.4. PASYWACJA POWIERZCHNIDo wyko
Page 149 and 150: Pasywacja roztworem (NH 4 ) 2 SIII)
Page 151 and 152: 6. UKŁADY POMIAROWE WYKORZYSTANE D
Page 153 and 154: 6.3. POMIARY SKŁADU PIERWIATKOWEGO
Page 155 and 156: 6.4. POMIARY GRUBOŚCI WARSTW, ANAL
Page 157 and 158: Stała Halla (R H ) bezpośrednio w
Page 159 and 160: Z powodu odpowiednio wysokich (~10
Page 161 and 162: Rysunek 6.7.1. Schemat zasady dzia
Page 163 and 164: Rysunek 6.7.2. A) Schemat ułożeni
Page 165 and 166: 7 WNIOSKI I PODSUMOWANIEBadania pod
Page 167 and 168: Na podstawie badań przedstawionych
show all

(Cd,Mn)Te - Instytut Fizyki PAN

Create successful ePaper yourself

Delete template?

Save as template?