(Cd,Mn)Te - Instytut Fizyki PAN

Jak już wcześniej wspomniano parametr RMS jest istotny przy nanoszeniukontaktów elektrycznych. Zdjęcia powierzchni, przygotowanych przy użyciu różnychmetod, przedstawiają rys. 4.3.4 (a-e). Odpowiednio szlifowana powierzchnia nie jestwystarczająco gładka, by stanowiła dobre podłoże do procesów nanoszenia kontaktów.Jak widać z analizy rys. 4.3.4 dopiero kolejne procesy trawienia i polerowaniamechano-chemicznego doprowadzają powierzchnię do odpowiedniej gładkości.Do procesów szlifowania stosowano proszek SiC o różnym stopniu grubości ziaren (od4,5 do 29 μm). Powierzchnia o najmniejszym stopniu chropowatości (rys. 4.3.4 d),rzędu 1 nm, stanowi najlepsze jakościowo podłoże. Następnie jest ono trawione, bywyeliminować z powierzchni Cd i stworzyć akumulacyjną warstwę Te, która mazapobiec szybkiemu utlenianiu. Tak przygotowana powierzchnia jest gotowa doprocesów zarówno epitaksji jak i napylania kontaktów elektrycznych.W pokazany na rys. 4.3.4 e sposób przygotowywane zostały wszystkie podłoża(Cd,Mn)Te użyte do procesów epitaksji jak i napylania warstw kontaktowych.Dodatkowo przeprowadzona została analiza składu powierzchni przy pomocymikroskopu SEM (mod EDS). Metoda ta została dokładniej opisana w rozdziale6. Badanie to przede wszystkim miało pokazać, że na powierzchni szlifowanej,a następnie polerowanej mechano-chemicznie nie zostały żadne produkty reakcjichemicznej i jest ona jednorodna w składzie. Rysunek 4.3.4 przedstawia zdjęcie orazanalizę składu tak przygotowanego podłoża z (Cd,Mn)Te.Rysunek 4.3.5. Przykładowe zdjęcia z mikroskopu SEM (EDX) oraz obrazy składu powierzchni(dla Mn, Cd, Te) płytek (Cd,Mn)Te w dwóch skalach: 500 nm i 25 μm.101