(Cd,Mn)Te - Instytut Fizyki PAN
(Cd,Mn)Te - Instytut Fizyki PAN
(Cd,Mn)Te - Instytut Fizyki PAN
You also want an ePaper? Increase the reach of your titles
YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.
Nr próbki Podłoże WarstwaWyniki AFM(Roughness) RMS [nm]A 4580_1 (<strong>Cd</strong>,<strong>Mn</strong>)<strong>Te</strong>:V <strong>Cd</strong><strong>Te</strong>:I 76,8B 020409B GaAs/(<strong>Cd</strong>,<strong>Mn</strong>)<strong>Te</strong> <strong>Cd</strong><strong>Te</strong>:I 65,7C 4580_2 (<strong>Cd</strong>,<strong>Mn</strong>)<strong>Te</strong>:V <strong>Cd</strong><strong>Te</strong>:In 88D 4580_3 (<strong>Cd</strong>,<strong>Mn</strong>)<strong>Te</strong>:V Zn<strong>Te</strong>:Sb 100Tabela 5.3.1. Wyniki analizy obrazów z mikroskopu AFM dla amorficznych warstw.Badaniach dyfrakcji rentgenowskiej potwierdziły, że napylane warstwy przytemperaturze podłoża około 80 °C są amorficzne. Jak pokazują rys. 5.3.7 A i Bniezależnie od typu podłoża, na którym była napylana warstwa amorficzna(monokrystaliczna płytka (<strong>Cd</strong>,<strong>Mn</strong>)<strong>Te</strong> czy monowarstwa hodowana na podłożu GaAs)pomiary dyfrakcyjne dawały szerokie i silnie rozmyte nieokreślone refleksy.Rysunek 5.3.7. Badanie dyfrakcji rentgenowskiej potwierdza, że zarówno warstwy <strong>Cd</strong><strong>Te</strong>:In orazZn<strong>Te</strong>:Sb nie są monokrystaliczne. A) monokrystaliczna płytka (<strong>Cd</strong>,<strong>Mn</strong>)<strong>Te</strong> z wytopu nr 4527z napylonymi amorficznymi warstwami <strong>Cd</strong><strong>Te</strong>:In na stronie tellurowej oraz Zn<strong>Te</strong>:Sb na stroniekadmowej; B) na podłożu z GaAs monokrystaliczna warstwa (<strong>Cd</strong>,<strong>Mn</strong>)<strong>Te</strong> nr 020409B z napylonąamorficzną warstwą <strong>Cd</strong><strong>Te</strong>:I.Kolejnym etapem badań było wykonanie pomiarów transportowych dlaamorficznych warstw. W tym celu na wysokooporowe podłoża o oporności rzęduρ ≈ 10 8 Ωcm zostały napylone amorficzne warstwy silnie domieszkowane. Ze względuna ograniczenia użytej aparatury badanie efektu Halla mogło odbywać się tylko nawarstwach o oporze maksymalnie kilkudziesięciu kΩ. Uzyskane tą metodą wynikizawiera tabela 5.3.3.Widoczne jest, że ruchliwości dziur (dla warstw p typu) są dobre zaś elektronów(dla warstw n typu) bardzo słabe. Fakt ten jest zastanawiający, jednakże nie jesteśmy wstanie uzasadnić tych wyników. Z drugiej strony po głębszej analizie sensu badaniaefektu Halla można stwierdzić, że takie badanie na warstwach amorficznych nie będziedawać poprawnych wyników. Najprawdopodobniej wyniki będą błędne zarówno dlakoncentracji nośników czy ich ruchliwości a tym samym niemożliwe jest wyznaczeniepoprawnego typu przewodnictwa.130
Change language