(Cd,Mn)Te - Instytut Fizyki PAN

More documents

Recommendations

Info

Rysunek 5.3.3.2. Charakterystyka I-V pomiarudwu sondowego układu (schemat z rozdziału 6.6.rys. 6.6.1.AI)). Geometria próbki: dolna elektrodaz pierścieniem a=8,9 mm, b=9 mm, x=3 mm;górna elektroda pokrywa całkowicie całąpowierzchnię próbki.Rysunek 5.3.3.3. Charakterystyka I-V pomiarudwu sondowego układu (schemat z rozdziału 6.6.rys. 6.6.1.AI)). Geometria próbki: dolna elektrodaz pierścieniem a=8,7 mm, b=8,8 mm, x=1 mm;górna elektroda pokrywa całkowicie całąpowierzchnię próbki.Jak widać z charakterystyk I-V (rys. 5.3.3.3) po zmniejszeniu obszaru „ringu”zmieniła się odległość między prostymi (co za tym idzie wartość oporu dla pomiaruw układzie I). W takim układzie różnica pomiędzy oporami jest rzędu 1 % co wskazujena nieznaczący wkład prądu po powierzchni i poprawne wymiary „ringu”.Badanie charakterystyk I-V dla materiału świeżo trawionego w 9 % roztworzebromu w metanolu wykazało, że jest możliwa likwidacja LC. Zaraz pojawia się jednakpytanie na jak długo takie trawienie zabezpiecza powierzchnię?Dlatego też podjęty został kolejny temat związany z pasywacją materiału przedkorozją a tym samym pojawieniem się prądów po powierzchni.146
5.3.4. PASYWACJA POWIERZCHNIDo wykonania tych testów przygotowana została wysokooporowamonokrystaliczna płytka (Cd,Mn)Te na którą (po wcześniejszym jej wypolerowaniui wytrawieniu) zostały napylone w dwóch kolejnych procesach amorficzne warstwya następnie złoto. Warstwy ZnTe:Sb typu p napylone przy temperaturze podłoża 80 °Cmiały grubości około 300 nm. Z tak przygotowanej płytki z amorficznymi kontaktamiobustronnie naniesionymi wycięto trzy kawałki do testów na trzech typach roztworówpasywujących powierzchnię.Pasywacja roztworem Br – CH 3 OHI) Pierwsza próbka (4620_1A) została zabezpieczona piceiną (obustronnepowierzchnie kontaktów) i wytrawiona w 9% roztworze bromu w metanolu (Br –CH 3 OH). Czas trawienia to około 60 s. Następnie próbka została umyta z piceinyi na obydwu stronach płytki na warstwę złota naniesiono pastę srebrną łączącą kontaktz srebrnym drutem. Układ pomiarowy (2 sondowy) przedstawia rys. 6.6.1 A II)z rozdziału 6.6. Po tych przygotowaniach wykonana zostaje charakterystyka I-Vmateriału. Następnie próbka została odłożona i przez 3 dni leżała w atmosferzepowietrza i znowu wykonana została w takim samym układzie charakterystyka I-V.Po czym znowu odłożona została na kolejne 7 dni i znowu wykonana została, po tymczasie, charakterystyka I-V.Rysunek 5.3.4.1. CharakterystykiI-V wykonane na jednej płytce zamorficznymi warstwami a na nichAu z obydwu stron płytki jakokontaktami elektrycznymi.Powierzchnia pasywowana byłaroztworem Br / CH 3 OH.147
Page 1:
INSTYTUT FIZYKI POLSKIEJ AKADEMII N
Page 6 and 7:
1.1. CEL I STRESZCZENIE ROZPRAWYNin
Page 8 and 9:
Nowe pomysły na wykonanie kontakt
Page 10 and 11:
wewnętrzny efekt fotoelektryczny,
Page 12 and 13:
W półprzewodniku fotoelektron bę
Page 14 and 15:
ozprawy.odpowiednia szerokość prz
Page 16 and 17:
Rysunek 2.1.7. Zależność absorpc
Page 18 and 19:
Mimo, że detektory promieniowania
Page 20 and 21:
Rysunek 2.2. 1. Prosta geometria de
Page 22 and 23:
Parametry wymagane od materiałów
Page 24 and 25:
Iloczyn μτ jest bardzo istotnym p
Page 26 and 27:
Pomiędzy serią elektrod (dynod) p
Page 28 and 29:
Rysunek 2.2.2. Porównanie uzyskane
Page 30 and 31:
Rysunek 2.2.4. Kryształy do produk
Page 32 and 33:
2.3. MECHANIZM ZBIORU NOŚNIKÓW Ł
Page 34 and 35:
Sytuacja ta pozwala na przejście e
Page 36 and 37:
powierzchni (111) pomiędzy płaszc
Page 38 and 39:
Temperaturową zmianę szerokości
Page 40 and 41:
gdzie C solid oznacza skład molowy
Page 42 and 43:
Po stopieniu materiału źródłowe
Page 44 and 45:
Ze względu na materiał, o którym
Page 46 and 47:
Manipulując intencjonalnymi domies
Page 48 and 49:
Nr wytopuKryształy (Cd,Mn)Tekoncen
Page 50 and 51:
Związane jest to z polarnością k
Page 52 and 53:
W kolejnym kroku wkładamy ampułę
Page 54 and 55:
Obraz krawędzi płytki z licznymi
Page 56 and 57:
17. J. D. Eskin, „Current state-o
Page 58 and 59:
3. KONTAKTY ELEKTRYCZNEUzyskanie do
Page 60 and 61:
Odpowiedni dobór metalu (pracy wyj
Page 62 and 63:
Przykładowo dla CdTe typu p praca
Page 64 and 65:
przypowierzchniowej półprzewodnik
Page 66 and 67:
Cały proces odbywa się w warunkac
Page 68 and 69:
W przypadku CdTe i (Cd,Zn)Te wielu
Page 70 and 71:
Wszystkie metody opierają się na
Page 72 and 73:
Prace [27-29] dokładnie opisują s
Page 74 and 75:
W kwestii obniżenia LC autorzy pra
Page 76 and 77:
BIBLIOGRAFIA DO ROZDZIAŁU 31. T. P
Page 78 and 79:
4. EPITAKSJA Z WIĄZEK MOLEKULARNYC
Page 80 and 81:
Temperatura źródła zależy od ty
Page 82 and 83:
W dolnej części komory umieszczon
Page 84 and 85:
Komora reakcyjna dodatkowo opatrzon
Page 86 and 87:
Zakładając, że transport atomów
Page 88 and 89:
4.1. FIZYCZNE PODSTAWY WZROSTU WARS
Page 90 and 91:
dysocjacja adsorbowanych molekuł;
Page 92 and 93:
W przypadku elektronów o energii r
Page 94 and 95:
Zależność opisującą prawdopodo
Page 96 and 97: Związane jest to z ewolucją mecha
Page 98 and 99: Płytki o grubości 2-3 mm poddawan
Page 100 and 101: Powierzchnia zbyt chropowata by wyk
Page 102 and 103: 4.4. STANDARDOWY PRZEBIEG PROCESÓW
Page 104 and 105: W przypadku monowarstw ZnTe:Sb oraz
Page 106 and 107: BIBLIOGRAFIA DO ROZDZIAŁU 41. Z. R
Page 108 and 109: jaką jest napylanie na półizoluj
Page 110 and 111: Rysunek 5.1.1. Charakterystyka I-V
Page 113 and 114: 5.2. MONOKRYSTALICZNE WARSTWY JAKO
Page 115 and 116: W obszarze złącza monokrystaliczn
Page 117 and 118: Nr próbkiPodłożeWarstwaFWHM(arc
Page 119 and 120: Badania te na warstwach monokrystal
Page 121 and 122: Wykonane także zostały (metodą S
Page 123 and 124: 5.3. AMORFICZNE WARSTWY JAKO KONTAK
Page 125 and 126: Poziom energii Fermiego jest blisko
Page 127 and 128: Niezależnie przez którą z sond (
Page 129 and 130: Na rys. 5.3.4 B i 5.3.5 B widać li
Page 131 and 132: Pamiętać trzeba, że dla warstwy
Page 133 and 134: 5.3.1. OPTYMALIZACJA GRUBOŚCI WARS
Page 135 and 136: We wszystkich trzech przypadkach mo
Page 137 and 138: Jednak w naszej opinii powierzchnia
Page 139 and 140: Rysunek 5.3.1.6. Charakterystyki I-
Page 141 and 142: Jedyną istotną informacją jaką
Page 143 and 144: Na podstawie tych pomiarów można
Page 145: Po wyznaczeniu charakterystyk I-V z
Page 149 and 150: Pasywacja roztworem (NH 4 ) 2 SIII)
Page 151 and 152: 6. UKŁADY POMIAROWE WYKORZYSTANE D
Page 153 and 154: 6.3. POMIARY SKŁADU PIERWIATKOWEGO
Page 155 and 156: 6.4. POMIARY GRUBOŚCI WARSTW, ANAL
Page 157 and 158: Stała Halla (R H ) bezpośrednio w
Page 159 and 160: Z powodu odpowiednio wysokich (~10
Page 161 and 162: Rysunek 6.7.1. Schemat zasady dzia
Page 163 and 164: Rysunek 6.7.2. A) Schemat ułożeni
Page 165 and 166: 7 WNIOSKI I PODSUMOWANIEBadania pod
Page 167 and 168: Na podstawie badań przedstawionych
show all

(Cd,Mn)Te - Instytut Fizyki PAN

You also want an ePaper? Increase the reach of your titles

Delete template?

Save as template?