(Cd,Mn)Te - Instytut Fizyki PAN

Amorficzne warstwy w odróżnieniu od monokrystalicznych napylanie zostały przydużo niższej temperaturze podłoża i przy zachowaniu tych samych (co w przypadkumonowarstw) temperatur na komórkach efuzyjnych.Maszyna MBE została przetestowana pod względem uzyskiwania warstw homoi hetero-epitaksjalnych typu CdTe na CdTe, ZnTe na ZnTe lub np. ZnTe na CdTe.Podłoża, ich przygotowanie i materiały do komórek efuzyjnych są własnej produkcji.Na początku rozprawy przedstawione zostały podstawowe mechanizmyoddziaływania promieniowania z interesującego nas przedziału energii, z materiałemdetekcyjnym. Dalsza część rozprawy zawiera ogólne informacje na temat materiałówdotychczas stosowanych do produkcji detektorów X i gamma, a także ich krótkącharakterystykę pod kątem własności fizycznych. Podjęty też został temat metodwzrostu tych związków. Zawiera on także bardzo ogólny zarys mechanizmu zbiorunośników ładunku w schematycznie przedstawionym detektorze promieniowaniai ogólny zapis wzoru Hechta.Kolejną część tego rozdziału poświęcono na omówienie (Cd,Mn)Te jakonowego materiału do zastosowania w produkcji detektorów. Przedstawione zostały jegoparametry fizyczne, metoda krystalizacji (technologia wzrostu 1,5 calowych wytopów),a także dostosowanie odpowiednich domieszek kompensujących i wpływ wygrzewańna zmiany zachodzące w jego strukturze i własnościach. Rozdział ten zawiera takżewyniki z kilku serii płytek: mapowania oporności właściwej, obserwacji powierzchnipod kątem precypitacji, oraz jamek trawienia wszystko w zależności od metodwygrzewania.Rozdział trzeci przedstawia podstawy teorii na temat złącz metal-półprzewodniki zjawisk zachodzących na interfejsach. W dalszej jego części zawarte zostały metodynanoszenia różnych typów metali jako kontaktów elektrycznych do półizolującychpłytek CdTe i (Cd,Zn)Te, a także metody ich ulepszania pod kątem omowości.Kolejny rozdział to opis fizycznych podstaw wzrostu epitaksjalnegooraz budowy aparatury (poszczególnych jej elementów) do hodowli i charakteryzacjitych warstw. Dotyczy on także przygotowania powierzchni do procesów epitaksjii napylania oraz standardowego procesu wzrostu i napylania cienkich warstww maszynie MBE.Główna część pracy doświadczalnej została zawarta w rozdziale piątym, gdzieprzedstawiono krok po kroku doświadczenia i pomysły na ich wykonanie, mającena celu potwierdzenie lub obalenie naszych założeń.7