(Cd,Mn)Te - Instytut Fizyki PAN
(Cd,Mn)Te - Instytut Fizyki PAN
(Cd,Mn)Te - Instytut Fizyki PAN
You also want an ePaper? Increase the reach of your titles
YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.
Badania te na warstwach monokrystalicznych wzrastanych na wysokooporowymmateriale ((<strong>Cd</strong>,<strong>Mn</strong>)<strong>Te</strong> lub GaAs/(<strong>Cd</strong>,<strong>Mn</strong>)<strong>Te</strong>) dały informację o koncentracjii ruchliwości nośników oraz oporności właściwej warstwy (tabela 5.2.3).Z badań efektu Halla uzyskaliśmy informację przede wszystkim o typiewyhodowanych epitaksjalnych warstw, a także o ich charakterystycznych parametrachelektrycznych.Nr próbkipodłożeWzrośniętawarstwaTyp warstwy119Koncentracjanośników wwarstwie ogrubości 1μm[cm -3 ]Pomiary efektu HallaRuchliwość[cm 2 /Vs]Opornośćwłaściwawarstwy ogrubości 1μm[Ωcm]4580A <strong>Cd</strong><strong>Mn</strong><strong>Te</strong>:V <strong>Cd</strong><strong>Te</strong>:I n 1,20·10 18 9,5·10 2 5,47·10 -34527A (<strong>Cd</strong>,<strong>Mn</strong>)<strong>Te</strong>:V Zn<strong>Te</strong>:Sb p 5·10 18 6,5·10 1 1,92·10 -24527B (<strong>Cd</strong>,<strong>Mn</strong>)<strong>Te</strong>:V <strong>Cd</strong><strong>Te</strong>:In n 3,2·10 18 8,5·10 2 2,29·10 -3Tabela 5.2.3. Wyniki badań efektu Halla dla monokrystalicznych warstw. Pomiary w T=300K.Po wzroście pierwszych monokrystalicznych warstw i wykonaniu na nichpomiarów efektu Halla, możliwe było dostosowanie temperatury na komórkachefuzyjnych z domieszką (Sb i In) poprzez obserwację zmian koncentracji. W rezultacieuzyskano oczekiwane parametry koncentracji domieszki w warstwach epitaksjalnych.Dla mono warstw zarówno koncentracje jak i ruchliwości zgadzają się z danymiliteraturowymi. Doświadczalnie wyznaczone ruchliwości dla związku <strong>Cd</strong><strong>Te</strong> typu n jestrzędu 800-1200 cm 2 /Vs, zaś dla Zn<strong>Te</strong> typu p jest rzędu 30-100 cm 2 /Vs.Otrzymane warstwy monokrystaliczne w kolejnym etapie badań służyły jakokontakty elektryczne do wykonania charakterystyk I-V. W celu sprawdzenia opornościwłaściwej materiału wykonane zostały na trzech płytkach (4580A, 4527A i 4527B)pomiary 4 sondowe (numeracja próbek zgodnie z opisem w tabeli 5.2.3). Pomiary 2sondowe wykonane zostały w celu obserwacji charakterystyk I-V które odzwierciedlajązachowanie złącza metal – silnie domieszkowany monokrystaliczny półprzewodnikjako kontakt (rys. 5.2.9 - 5.2.11). Pomiary 4 sondowe były wykonane zgodnie zeschematem na rys.5.2.3 B, kiedy warstwa była tylko na jednej stronie materiałupodłożowego. Układ pomiarowy oraz dokładny opis przebiegu pomiaru 2 i 4sondowego zawarty został w rozdziale 6.6.Monokrystaliczne 1 μm warstwy jako kontakty elektryczne w pomiarachI-V próbek (<strong>Cd</strong>,<strong>Mn</strong>)<strong>Te</strong> dają bardzo liniowe i powtarzalne charakterystyki. W pomiarach2 sondowych gdy na opór składa się opór materiału i kontaktu nie widać żadnychodchyleń w charakterystykach I-V, co potwierdza brak bariery na złączu półprzewodnikmetal.
Change language