(Cd,Mn)Te - Instytut Fizyki PAN
(Cd,Mn)Te - Instytut Fizyki PAN
(Cd,Mn)Te - Instytut Fizyki PAN
Create successful ePaper yourself
Turn your PDF publications into a flip-book with our unique Google optimized e-Paper software.
powierzchni (111) pomiędzy płaszczyznami zbliźniaczeń spełniają warunki niezbędnedo otrzymania dobrego materiału do detekcji promieniowania X i gamma: monokrystaliczności, jednorodności składu <strong>Mn</strong> na całym obszarze, łatwo przekraczającym 10 cm 2 ,z których mogą być wycinane płytki detekcyjne wysokiej oporności właściwej, przy odpowiedniej kompensacji.MateriałStruktura krystalograficznaMetody wzrostu<strong>Cd</strong> 0.95 <strong>Mn</strong> 0.05 <strong>Te</strong>kubiczna (ZB)VBMZ -liczba atomowa (<strong>Cd</strong>, <strong>Mn</strong>, <strong>Te</strong>) 48, 25, 52Gęstość (g/cm 3 ) 5,8Przerwa energetyczna E g (eV) 1,59Oporność właściwa ρ (Ωcm) 10 9 -10 10μτ (cm 2 /V) 10 -3 -10 -4Tabela 2.4.1. Właściwości fizyczne (<strong>Cd</strong>,<strong>Mn</strong>)<strong>Te</strong> w T=25˚C. (ZB - zinc blend, VBM - Vertical BridgmanMethod) [7].Najlepsze kryształy (z „grubymi” bliźniakami – tzn. dużymi odstępami pomiędzykolejnymi płaszczyznami zbliźniaczeń) otrzymuje się dla (<strong>Cd</strong> 1-x <strong>Mn</strong> x )<strong>Te</strong> ze składemw granicach 0,06 ≤ x ≤ 0,08. Dla takich zawartości <strong>Mn</strong> płaszczyzny bliźniakówprzebiegają przez cały kryształ, co pozwala wycinać duże monokrystaliczne płytki.Wymienione tu parametry kryształów (<strong>Cd</strong>,<strong>Mn</strong>)<strong>Te</strong> dają duże szanse, by materiałten mógł konkurować z dotychczas używanymi związkami <strong>Cd</strong><strong>Te</strong> czy (<strong>Cd</strong>,Zn)<strong>Te</strong>.W następnych rozdziałach niniejszej rozprawy będą one przedstawione dokładnie.Podstawowe własności kryształów (<strong>Cd</strong>,<strong>Mn</strong>)<strong>Te</strong>Trójskładnikowy związek (<strong>Cd</strong> 1-x <strong>Mn</strong> x )<strong>Te</strong> jest klasycznym przedstawicielempółprzewodników półmagnetycznych 4 (Dilute Magnetic Semiconductors - DMS). Jegowłasności i struktura zostały omówione szeroko w licznych publikacjach [19,22].W tym rozdziale zostanie opisanych kilka najistotniejszych własności pod względemwykorzystania (<strong>Cd</strong>,<strong>Mn</strong>)<strong>Te</strong> do detekcji promieniowania X i gamma.Związek ten opiera się na tellurku kadmu <strong>Cd</strong><strong>Te</strong>, który należydo dwuskładnikowych związków z grupy A II B VI . Krystalizuje on w strukturze blendycynkowej (ZnS), która składa się z dwóch wzajemnie przenikających się, regularnych,powierzchniowo centrowanych podsieci (fcc).4 półprzewodnik półmagnetyczny oznacza kryształ w którym część atomów sieci została zastąpiona przez jony magnetyczne takiejak Eu, <strong>Mn</strong> lub Fe.36
Change language