10.07.2015 Views

(Cd,Mn)Te - Instytut Fizyki PAN

(Cd,Mn)Te - Instytut Fizyki PAN

(Cd,Mn)Te - Instytut Fizyki PAN

SHOW MORE
SHOW LESS

You also want an ePaper? Increase the reach of your titles

YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.

5.3. AMORFICZNE WARSTWY JAKO KONTAKTYTrudności technologiczne, które wynikły podczas hodowli warstw na obydwustronach wysokooporowych płytek (<strong>Cd</strong>,<strong>Mn</strong>)<strong>Te</strong> spowodowały, że ponownie rozpoczętoposzukiwania nowego pomysłu na wykonanie dobrych kontaktów elektrycznych.Propozycja by wykorzystać amorficzne warstwy jako kontakty powstałapo lekturze artykułu T. Sebestyen [5]. Praca ta poświęcona jest badaniomnad amorficznymi warstwami jako kontaktami do materiałów z grupy III-V główniedo GaAs. Na podstawie badań przedstawionych w pracy [5] można wysunąć wnioskina temat własności takich kontaktów: oporność kontaktu (metal – amorficzny półprzewodnik) jest porównywalna(a nawet mniejsza) niż oporność samego półprzewodnika amorficznego, pomimo niskiej wartości oporności właściwej złącza (metal – amorficznypółprzewodnik) złącze to ma pewne cechy podobne do bariery Schottky’egoi ma „barierowy” charakter (istnieje energetyczny schodek do pokonania przeznośniki ładunku), wysokość bariery zmniejsza się wraz ze wzrostem grubości amorficznej warstwypółprzewodnikowej, nieporządek amorficznej warstwy półprzewodnikowej rośnie z jej grubością(co oznacza, że krystalograficznie najlepszy jakościowo jest obszarprzy powierzchni materiału, na który napyla się amorficzny kontakt) zaś w stykuz metalem jest obszar o bardzo nieuporządkowanej strukturze (silnieamorficzny).Powyższe stwierdzenia potwierdzają także badania przedstawione w innychpracach związanych z tą tematyką [6-8].Znając bardzo ogólnie własności takiego materiału podjęte zostały próby doboruodpowiedniego amorficznego półprzewodnika jako warstwy kontaktowej do: z jednejstrony materiału bazowego jakim jest (<strong>Cd</strong>,<strong>Mn</strong>)<strong>Te</strong> a z drugiej strony metalu (Au).Założenie było podobne jak przy warstwach monokrystalicznych. Potrzebnybył materiał, który można nanosić na obydwu stronach płytki detekcyjnej bez stratwe własnościach materiału bazowego i bez zmian na interfejsie złącza. Materiałdetekcyjny stanowi wysokooporowa płytka (<strong>Cd</strong>,<strong>Mn</strong>)<strong>Te</strong> a elektroda zewnętrzna ma byćdobrym metalicznym kontaktem z materiałem przejściowym (rys. 5.3.1). To właśnie123

Hooray! Your file is uploaded and ready to be published.

Saved successfully!

Ooh no, something went wrong!