(Cd,Mn)Te - Instytut Fizyki PAN
(Cd,Mn)Te - Instytut Fizyki PAN
(Cd,Mn)Te - Instytut Fizyki PAN
You also want an ePaper? Increase the reach of your titles
YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.
1.1. CEL I STRESZCZENIE ROZPRAWYNiniejsza rozprawa doktorska ma na celu przedstawienie możliwościuzyskiwania dobrych elektrycznych kontaktów do wysokooporowych kryształów(<strong>Cd</strong>,<strong>Mn</strong>)<strong>Te</strong>. Materiały te mogą stanowić konkurencję dla dotychczas używanych <strong>Cd</strong><strong>Te</strong>oraz (<strong>Cd</strong>,Zn)<strong>Te</strong>, jako podłoża dla detektorów promieniowania X i gamma.W niniejszej pracy udowodniono, że kryształy (<strong>Cd</strong>,<strong>Mn</strong>)<strong>Te</strong> nadają się na płytkidetekcyjne promieniowania X i gamma w równie dobrym stopniu jak dotąd używane(<strong>Cd</strong>,Zn)<strong>Te</strong>. Ponadto określono, jakiego typu kontakty elektryczne będą najlepszedo wysokooporowych kryształów (<strong>Cd</strong>,<strong>Mn</strong>)<strong>Te</strong>.Istotnym etapem prac doświadczalnych są badania nad wykonaniem kontaktówelektrycznych do uzyskanych z krystalizacji płytek z półizolującego (<strong>Cd</strong>,<strong>Mn</strong>)<strong>Te</strong>.Dla półizolującego (<strong>Cd</strong>,Zn)<strong>Te</strong> laboratoria i przedsiębiorstwa na świecie produkującedetektory promieniowania X i gamma, stosują różne formy metalizacjido odpowiednich ścian płytek. Otrzymane w ten sposób kontakty prawie nigdy(szczególnie dla wysokich oporów) nie są omowe. Nie wpływa to w dużym stopniu nadziałanie całego układu, ze względu na przykładane do płytki detektorowej wysokienapięcie (rzędu kilkuset woltów).W celu uzyskania optymalnych kontaktów zaproponowane zostałytrzy podejścia. Pierwsze, to często stosowana metalizacja za pomocą różnych metodchemicznych. Niestety metody te są często niepowtarzalne.Drugie podejście, które wydaje się bardziej obiecujące, to wytwarzaniena powierzchni płytki (<strong>Cd</strong>,<strong>Mn</strong>)<strong>Te</strong> heterostruktury - nanowarstwy. Dane literaturowewskazują, że tego typu postępowanie może dawać dobre planarne kontakty. W celuwytwarzania heterostruktur kontaktowych wykorzystano maszynę typu MBE,skonstruowaną w laboratorium ON 1.1 w IF <strong>PAN</strong> w Warszawie, przez prof.A. Mycielskiego i współpracowników. Umożliwia ona nałożenie na powierzchnię(<strong>Cd</strong>,<strong>Mn</strong>)<strong>Te</strong> warstw heteroepitaksjalnych, (na przykład Zn<strong>Te</strong>:Sb typu-p), do którychnastępnie (w tej samej maszynie) wykonane zostaną kontakty metaliczne poprzeznapylenie Au.Trzecia opcja dotyczy amorficznych (nanokrystalicznych) cienkich warstw(Zn<strong>Te</strong>:Sb i <strong>Cd</strong><strong>Te</strong>:In) napylanych również w maszynie MBE w odpowiednichwarunkach próżni.6
Change language