(Cd,Mn)Te - Instytut Fizyki PAN

amorficzna warstwa jest obszarem przejściowy a tym samym tworzy dobry kontaktz metalem. Według naszej opinii (co także potwierdza praca [5]) najistotniejszymw tym wypadku zjawiskiem jest powstanie na złączu amorficzna warstwa - metal„cienkiej” bariery tunelowej, przez którą bez wkładu dodatkowej energii mogąprzepływać swobodnie nośniki ładunku.A) B)C)Rysunek 5.3.1. Schematycznie przedstawione konfiguracje ułożenia warstw amorficznych (ZnTe:Sbi CdTe:In) jako kontaktów elektrycznych do wysokooporowych płytek (Cd,Mn)Te. A) układ warstwaZnTe:Sb / podłoże (Cd,Mn)Te / warstwa CdTe:In, B) układ warstwa ZnTe:Sb / podłoże (Cd,Mn)Te /warstwa ZnTe:Sb, C) układ warstwa CdTe:In / podłoże (Cd,Mn)Te / warstwa CdTe:In.W obrębie amorficznej warstwy (lub nanokrystalicznej z ziarnami ≤ 10 nm)poziom Fermiego E F znajduję się blisko środka przerwy (rys. 5.3.1 A-C) [6,7]. Licznestany defektowe w jej obszarze prowadzą do powstania – tak zwanej „przerwyruchliwościowej”. Wówczas ma miejsce silne przekrycie się funkcji falowych centrówdefektowych. Sytuacja taka prowadzi do poszerzenia się pasma domieszkowegoaż do momentu połączenia się ze stanami dna pasma przewodnictwa(lub walencyjnego). Powstają tak zwane ogony gęstości stanów. W rezultacie objawiasię to brakiem przerwy energetycznej pomiędzy stanami domieszkowymi a pasmemprzewodnictwa/walencyjnym. Zjawisko to ma miejsce, gdy amorficzna warstwajest silnie domieszkowana na poziomie 10 18 - 10 19 cm -3 . Ostatecznie położenie poziomuFermiego po ustaleniu się stanu równowagi na styku wysokooporowy materiał -amorficzna warstwa jest na tej samej wysokości.124