(Cd,Mn)Te - Instytut Fizyki PAN

1. WSTĘPPodstawę rozwoju cywilizacji technicznej stanowi rozwój materiałóworaz znajomość ich struktury wewnętrznej. Wiele dziedzin życia codziennego, takichjak medycyna czy ochrona środowiska wręcz wymuszają na naukowcachi technologach poszukiwanie nowych rozwiązań i udoskonaleń zarówno aparaturowychjak i bardziej podstawowych jakimi są materiały „bazowe”.W ostatnich latach obserwuje się rosnący udział zaawansowanych strukturalniemateriałów w wytwarzaniu technicznie skomplikowanych produktów. W związkuz otrzymywaniem materiałów zaawansowanych technologicznie na skalę masową,konieczne jest poszerzenie wiedzy o nich, aby podnieść opłacalność produkcjioraz zmniejszyć niekorzystny wpływ procesów wytwórczych na środowisko.Detektory półprzewodnikowe wysunęły się na czołową pozycję wśróddetektorów promieniowania jonizującego stosowanych w spektometrii. Główniezadecydowały o tym ich doskonałe właściwości, takie jak: bardzo dobra energetycznazdolność rozdzielcza, odpowiednio krótki czas narastania impulsów a także niewielkierozmiary. Głównymi przedstawicielami detektorów półprzewodnikowych na baziezwiązków II – VI są detektory na (Cd,Zn)Te i CdTe. Produkowane są one na dużąskalę, jednak wciąż podlegają modyfikacjom i ulepszeniom. Podstawowym problememwymagającym rozwiązania jest uzyskanie płytek o dużej powierzchniz jednorodnym rozkładem oporności właściwej (płytek monokrystalicznych). Ponadto,istnieje problem elektrycznych kontaktów do tak wysokooporowego materiału.5