(Cd,Mn)Te - Instytut Fizyki PAN

Płytki o grubości 2-3 mm poddawane są obróbce mechanicznej i mechanochemicznejprzygotowującej je do procesów nanoszenia kontaktów elektrycznych.W rozdziale 2.4.3 opisano procedurę trawienia próbki przy użyciu roztworuna ujawnienie ziaren i bliźniaków. Proces ten pozwala określić stronę (polarność)tellurową (Te) i kadmową (Cd) próbek o orientacji (111). Tak przygotowane płytkisą w zależności od dalszych procesów przygotowywane w poniżej opisany niżejsposób:1. Powierzchnia przygotowywana pod kontakt z chemicznie osadzanegoroztworu (kwasu chlorozłotowego) AuCl 3 : szlifowanie proszkiem SiC (węglik krzemu) o granulacie 5-13 μm, polerowanie mechano-chemicznie (przy użyciu maszyny) w 2% roztworzebromu (Br), metanolu i glikolu, trawienie w 9% roztworze bromu w metanolu, dokładne płukanie w metanolu przy użyciu płuczki ultradźwiękowej.Na tak przygotowaną powierzchnię następnie nanoszony jest roztwór AuCl 3 :HCl:4H 2 O(kwas chlorozłotowy z wodą destylowaną), stanowiący kontakt elektryczny z podłożem(Cd,Mn)Te.2. Powierzchnia przygotowywana pod kontakt z monokrystalicznej warstwyZnTe:Sb lub CdTe:In (w maszynie MBE): szlifowanie proszkiem SiC o granulacie 5-13 μm, polerowanie mechano-chemicznie (przy użyciu maszyny) w 2% roztworzebromu (Br), metanolu i glikolu, trawienie selektywnie (około 15 s) w 0,25%, roztworze bromu z metanolem.W rezultacie otrzymujemy tak zwaną powierzchnię „epi-ready” (rys. 4.3.2-4.3.3), dokładne płukanie w metanolu przy użyciu płuczki ultradźwiękowej.Trawienie selektywne usuwa Cd z powierzchni i pozostawia akumulacyjną warstwęTe. Nanoszenie warstwy kontaktowej wymaga przygotowania powierzchni pod kontakttak, by była ona stechiometryczna (Cd:Te). Kiedy na powierzchni jest nadmiar Cd,ulega ona szybkiemu utlenianiu (Cd łatwo i dosyć szybko wiąże tlen z otoczenia).Powierzchnię z tlenkami jest trudno usuwalna, w próżni nawet przy podgrzaniu jej dotemperatury 350 °C.98