(Cd,Mn)Te - Instytut Fizyki PAN

Na podstawie badań przedstawionych w niniejszej rozprawie zostało złożonednia 2010-04-15 zgłoszenie patentowe („Sposób wytwarzania kontaktów omowych dopółizolujących płytek (Cd,Mn)Te”, Nr P.390989) oraz powstały publikacje:1. M. Witkowska-Baran, A. Mycielski, A. J. Szadkowski, E. Łusakowska,V. Domukhovski, R. Jakieła, B. Witkowska, and W. Kaliszek, „Semi-insulating(Cd,Mn)Te:V crystals: Electrical contacts”phys. stat. sol. (b) 244, No. 5, pp. 1706–1713 (2007).2. M. Witkowska-Baran, A. Mycielski, D. Kochanowska, A. J. Szadkowski,R. Jakieła, B. Witkowska, W. Kaliszek, J. Domagała, E. Łusakowska,V. Domukhovski, K. Dybko, Y. Cui, and R. B. James, „Contacts for High-Resistivity (Cd,Mn)Te Crystals”TNS IEEE Vol. 58, Issue:1, pp. 347-353 (2011).3. M. Witkowska-Baran, A. Mycielski, D. Kochanowska, B. Witkowska,W. Kaliszek, R. Jakieła, E. Łusakowska, V. Domukhovski, M. Węgrzecki,„Amorphous contact layers on (Cd,Mn)Te crystals”J. Crystal Growth (2011), doi:10.1016/j.jcrysgro.2011.01.001.Autor rozprawy jest także współautorem publikacji (o tematyce związanejz detektorami na (Cd,Mn)Te)) wydanych przez ośrodki badawcze z którymiwspółpracuje laboratorium ON 1.1:1. „CdMnTe Crystals for X-ray and Gamma-ray Detection”Y. Cui, A. Bolotnikov, A. Hossain, G. Camarda, A. Mycielski, G. Yang,D. Kochanowska, M. Witkowska-Baran, R. James,Proc. SPIE, Vol. 7079, 70790N (2008).2. „Vanadium-Doped Cadmium Manganese Telluride (Cd 1-x Mn x Te) Gamma-Ray Detectors”A. Hossain, A. E. Bolotnikov, Y. Cui, G. S. Camarda, G. Yang, R. B. James,D. Kochanowska, M. Witkowska-Baran, A. Mycielski,Journal of Electronic Materials, Vol. 38, No. 8, (2009), p. 1539.3. „(Cd,Mn)Te Detectors for Characterization of X-Ray Emissions GeneratedDuring the Laser-Driven Fusion Experiments”A. Cross, J. Knauer, A. Mycielski, D. Kochanowska, M. Wiktowska-Baran,R. Jakiela,Nuclear Instruments and Methods A, Vol. 624, Issue 3, (2010), p. 649.167