(Cd,Mn)Te - Instytut Fizyki PAN

Pasywacja roztworem (NH 4 ) 2 SIII) W przypadku trzeciej próbki (4620_1C) wszystkie trawienia, czasy, kolejnośći tryb pomiarów zostały wykonane tak samo jak w przypadku próbki drugiej (jakwyżej). Jedyną różnicę stanowił trawiciel pasywujący powierzchnię. Dla trzeciej płytkiużyty został roztwór (NH 4 ) 2 S (a nie jak dla drugiej płytki NH 4 F / H 2 O 2 ).Wyniki z trzech kolejnych pomiarów charakterystyk I-V przedstawia rys. 5.3.4.3.Rysunek 5.3.4.3. CharakterystykiI-V wykonane na jednej płytce zamorficznymi warstwami a nanich Au z obydwu stron płytkijako kontaktami elektrycznymi.Powierzchnia pasywowana byłaroztworem (NH 4 ) 2 S.Charakterystyka I-V wykonana dla płytki pasywowanej roztworem (NH 4 ) 2 Sw przeciągu pierwszych 3 dni nie uległa znacznej zmianie. Kolejny pomiar ponastępnych 7 dniach wykazał, brak istotnych zmian co wskazuje, że pasywacja tymroztworem sprawdza się. Porównując wartości oporów z poszczególnych wykresów zrys. 5.3.4.3 zmiany są niewielkie w porównaniu do wykresów z rys. 5.3.4.1 i 5.3.4.2.Pomimo otrzymania dobrych rezultatów pasywacji powierzchni (Cd,Mn)Teroztworem (NH 4 ) 2 S, badania będą prowadzone w dalszym ciągu by potwierdzićskuteczność jego działania na dłuższym przedziale czasu.Jest niewiele literatury dotyczącej stosowania różnych roztworów do pasywacjiwysokooporowych płytek (Cd,Mn)Te która mogła by służyć do porównania wyników.Praca K. Kim [10] wskazuje, że roztwór (NH 4 ) 2 S daje dobre wyniki dla pasywacjipowierzchni płytek (Cd,Mn)Te. Badania wykonane w pracy [10] związane były zpomiarami XPS (nie było zaś badań pod kątem zmian wartości oporu poprzez badaniacharakterystyk I-V próbek pasywowanych lub niepasywowanych).Natomiast jeżeli chodzi o dwa pierwsze roztwory (Br / CH 3 OH i NH 4 F / H 2 O 2 )otrzymane wyniki eliminują je jako dobrych kandydatów do zabezpieczaniapowierzchni wysokooporowych płytek (Cd,Mn)Te.149