(Cd,Mn)Te - Instytut Fizyki PAN

Rysunek 5.2.2. Model złącza z przejściową warstwąZnTe:Sb pomiędzy wysokooporowym (Cd,Mn)Tea metalem. Kontakt pomiędzy ZnTe:Sb a metalemstanowi cienką tunelową barierę.Schematy układu sond i opis aparatury wykorzystany do pomiarów dwu i czterosondowych opisano dokładniej w rozdziale 6.6, tu przedstawiono jedynie uproszczonyschemat.Monokrystaliczna płytka (Cd,Mn)Te z warstwą po jednej stronie zostałazabezpieczona na brzegach piceiną. Następnie niezabezpieczony środek zostałwytrawiony w 9% roztworze bromu w metanolu (uzyskaliśmy czysty materiał bezwarstwy). Warstwy pozostawione na brzegach materiału stanowiły kontakt elektrycznyużyty do wykonania charakterystyki I-V. Wykonane zostały pomiary 2 sondowe(wzrośnięta warstwa na jednej stronie materiału, rys. 5.2.3 A).Następnie warstwa ta została zeszlifowana z płytki. Po wypolerowaniui wykonaniu serii trawień wyhodowana została na niej warstwa CdTe:In. Ponowniezmierzona została zależność prądowo napięciowa. W obydwu przypadkachcharakterystyki I-V były liniowe w całym zakresie przykładanych napięć (rys. 5.2.5).Rysunek 5.2.3. Układ monokrystalicznych warstw jako kontakty elektryczne w pomiarach:A) 2 sondowych, gdy układ kontaktów jest tylko na jednej stronie płytki, .B) 4 sondowych gdy układkontaktów jest tylko na jednej stronie płytki, C) 2 sondowych, gdy kontakty są na obu stronach płytki,Ponieważ do budowy detektora, płytka (Cd,Mn)Te powinna mieć na obydwustronach odpowiednio dobre kontakty elektryczne wykonane zostały modyfikacjeukładu warstw. Podjęte zostały próby wzrastania na obydwu stronach płytki (Cd,Mn)Temonokrystalicznych warstw (rys. 5.2.4 A). Założenie było takie, że generowane poprzezoddziaływanie promieniowania z materiałem (przy zewnętrznej polaryzacji) elektronybędą łatwo przemieszczać się w stronę warstwy CdTe:In typu n, zaś dziury w stronęwarstwy ZnTe:Sb typu p.114