(Cd,Mn)Te - Instytut Fizyki PAN
(Cd,Mn)Te - Instytut Fizyki PAN
(Cd,Mn)Te - Instytut Fizyki PAN
You also want an ePaper? Increase the reach of your titles
YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.
Prace [27-29] dokładnie opisują schematy reakcji chemicznych (produktów wytrąceń)zachodzących na powierzchni płytek (<strong>Cd</strong>,Zn)<strong>Te</strong>. Najlepsze wyniki dla płytekdetekcyjnych na bazie <strong>Cd</strong><strong>Te</strong> oraz (<strong>Cd</strong>,Zn)<strong>Te</strong> uzyskuje się poprzez stosowanie związkówNH 4 F/H 2 O 2 oraz (NH 4 ) 2 S. W pracy G. W. Wright’a [27] w przejrzysty sposóbprzedstawione zostały wyniki badań nad pasywacją (<strong>Cd</strong>,Zn)<strong>Te</strong>. Związkiem użytym dopasywacji był NH 4 F, zaś czasy trawień były od 5 do 15 min. Dodatkowo przedpasywacją powierzchnie próbki były szlifowane oraz mechano-chemicznie polerowane.Następnie próbki myto dokładnie w metanalu oraz osuszano do dalszych zabiegówpreparacji kontaktów (metalizacji). Wyniki tych badań zostały przedstawione w tabeli3.2.3. Do porównania użyto dwóch typów materiału (<strong>Cd</strong>,Zn)<strong>Te</strong> wysoko i niskooporowego oraz dwóch typów trawicieli. Widoczne jest, że nastąpiła znacząca poprawadla wartości oporu oraz redukcja LC.Typ materiału itrawicielaH 2O 2<strong>Cd</strong>Zn<strong>Te</strong>Wysoko oporowePoczątkowyopór [Ω] R pKońcowyopór [Ω] R kWspółczynnikwzrostu oporuR [R k/ R p]Początkowy„prąd popowierzchni”LC [nA] I pKońcowy„prąd popowierzchni”LC [nA] I k% redukcji„prądu popowierzchni”2,81·10 10 3,78·10 10 1,35 4,96 4,1 19NH 4F/H 2O 2<strong>Cd</strong>Zn<strong>Te</strong>nisko oporowe 2,06·10 6 9,02·10 8 437 3,2·10 4 142 99,6Tabela 3.2.3. Porównanie wyników pasywacji powierzchni wysoko i nisko oporowych płytek <strong>Cd</strong>Zn<strong>Te</strong>dwoma typami trawicieli [27].Wniosek jaki większość na ten temat prac wysuwa, jest stwierdzenie,że powierzchnia będzie dobrze zabezpieczona przed wpływem środowiskazewnętrznego (a tym samym pojawieniem się LC i popsuciem jakości płytkidetekcyjnej) jeśli będzie pokryta odpowiednio cienką warstwą nieutlenionychzwiązków tellurowych [26-29]. Które w stechiometrycznym podejściu do powierzchnibędą przeważać nad związkami telluru utlenionymi. Poprzez odpowiedni dobórroztworów chemicznych eliminowane są związki kadmu, które tworzą silniejszewiązania z tlenkami. Takie związki są nie do usunięcia z powierzchni płytki i dajądodatkowe wkłady do LC.Omawiane metody, za pomocą których polepszamy „omowość” kontaktówi zmniejszamy prąd upływu polegały w dużej mierze na odpowiedniej preparacjipowierzchni. Stan powierzchni ma duży wpływ na poprawność działania naniesionychkontaktów. Wiele prac porusza tą tematykę i rozważa wpływ powierzchni na LC.72
Change language