10.07.2015 Views

(Cd,Mn)Te - Instytut Fizyki PAN

(Cd,Mn)Te - Instytut Fizyki PAN

(Cd,Mn)Te - Instytut Fizyki PAN

SHOW MORE
SHOW LESS

Create successful ePaper yourself

Turn your PDF publications into a flip-book with our unique Google optimized e-Paper software.

Stała Halla (R H ) bezpośrednio wiąże się z koncentracją nośników ładunku, ich rodzajemoraz ruchliwością poprzez wzór (6.5.2).RH21 pp n (6.5.2)e ( p np2n2n)gdzie: p - jest koncentracją dziur, µ p - to ruchliwość dziur, n - koncentracja elektronów,µ n - ruchliwość elektronów, e - ładunek elektryczny. W przypadku, gdy w próbcedominuje jeden typ nośników, wówczas przyjmuje ona dużo prostszą postać i jestdodatnia dla przewodnictwa dziurowego oraz ujemna dla elektronowego.W przewodniku o jednym dominującym typie nośników prądu znak stałej Halla zależyod znaku nośników prądu, a jej wartość jest odwrotnie proporcjonalna do ichkoncentracji. Pomiar napięcia Halla jest zatem metodą badania własności nośnikówładunku w półprzewodnikach. Znak napięcia Halla pozwala stwierdzić, jaki jest znakładunków dominujących w procesie przewodzenia prądu [4].Przewodność wyrażana jest za pomocą wyrażenia (6.5.3). e( n p) p(6.5.3)nJednoczesny pomiar stałej Halla i przewodności pozwala wyznaczyć ruchliwośćnośników większościowych (dominujących) w materiale.Wszystkie pomiary efektu Halla dotyczące zarówno materiału bazowego(<strong>Cd</strong>,<strong>Mn</strong>)<strong>Te</strong>, jak i warstw kontaktowych monokrystalicznych i amorficznych wykonanezostały przez autora rozprawy. Do mocowania płytek z warstwami kontaktowymi dospecjalnego uchwytu używane były: pasta srebrna, drut srebrny oraz ind. Na łączeniewarstwy z drutem stosowana była pasta srebrna. Z drugiej strony do łączenia drutusrebrnego z elektrodą uchwytu stosowany był lut z indu. Do pomiarów z płytek(<strong>Cd</strong>,<strong>Mn</strong>)<strong>Te</strong> z naniesionymi warstwami o dużej powierzchni wycinane były próbki nawymiar 3 x 2 x 12 mm (szer. x wys. x dłu.). Pomiary wykonane zostały na układziepomiarowym w oddziale ON 1.3 w IF <strong>PAN</strong> w Warszawie pod opieką dr K. Dybko i drŁ. Kilańskiego. Aparatura ta ze względu na swoje ograniczenia była w stanie poprawniedokonać pomiarów dla materiału o oporze maksymalnie 10 4 Ω.157

Hooray! Your file is uploaded and ready to be published.

Saved successfully!

Ooh no, something went wrong!