(Cd,Mn)Te - Instytut Fizyki PAN
(Cd,Mn)Te - Instytut Fizyki PAN
(Cd,Mn)Te - Instytut Fizyki PAN
Create successful ePaper yourself
Turn your PDF publications into a flip-book with our unique Google optimized e-Paper software.
Metody wzrostu związków <strong>Cd</strong><strong>Te</strong> i (<strong>Cd</strong>,Zn)<strong>Te</strong>Kryształy <strong>Cd</strong><strong>Te</strong> i (<strong>Cd</strong>,Zn)<strong>Te</strong> są hodowane dwoma metodami: metodą wędrującejstrefy - THM (Travelling Heater Metod) oraz wysokociśnieniową metodą BridgmanaHPB (High Pressure Bridgman) (rys. 2.2.3, 2.2.4). W zależności od stosowanej metodyużywane są różnego typu domieszki kompensacyjne. W przypadku THM zazwyczajstosowane są ind (In) oraz chlor (Cl). Odpowiednio dobrane domieszki zapewniająwysoką wartość oporności właściwej. Wadą tej metody jest bardzo niska prędkośćwzrostu (parę milimetrów na dobę). W metodzie Bridgmana stosowany jest Zn w celuposzerzenia przerwy energetycznej i uzyskania wysokiej wartości oporu właściwego.Wzrost kryształów tą techniką zostanie opisany w rozdziale 2.4.1.Rysunek 2.2.3. Kryształy do produkcjipłytek detekcyjnych, hodowanych metodąTHM, schemat pieców do krystalizacjikryształów [11].Odpowiednio wysoka wartość oporności właściwej związków <strong>Cd</strong><strong>Te</strong> oraz(<strong>Cd</strong>,Zn)<strong>Te</strong> umożliwia uzyskanie małego prądu upływu. Pozwala to na osiągnięcieniższych poziomów szumów oraz umożliwia stosowanie wyższych napięćpolaryzujących, które odpowiadają za wzrost efektywności zbierania ładunków (CCE)generowanych w płytce detekcyjnej. Dobrą charakterystykę płytki detekcyjnej uzyskujesię, gdy średnia droga swobodna nośników (która jest określona iloczynem μτE) jestdużo większa od grubości detektora.Czystość materiału oraz jakość krystalograficzna monokryształu bezpośredniowpływa na koncentrację aktywnych defektów zlokalizowanych w przerwie, co określaczas życia nośników τ. Tabela 2.2.1. przedstawia zebrane parametry związków <strong>Cd</strong><strong>Te</strong>i (<strong>Cd</strong>,Zn)<strong>Te</strong>. Należy jednak pamiętać, że przedstawione wartości mogą zmieniać sięw zależności od jakości kryształów. Obecnie na szeroką skalę produkowane są płytkidetekcyjne na bazie półprzewodników z grupy II-VI, trójskładnikowe kryształy<strong>Cd</strong> 1-x Zn x <strong>Te</strong>, gdzie skład cynku wynosi x=0.10 a średnie Z ~ 49,1. Dodatek cynku (10atomowych procent), jest związany z koniecznym zwiększeniem przerwy energetycznejod 1,5 eV w 300 K dla <strong>Cd</strong><strong>Te</strong> do ~ 1,6 eV w 300 K dla (<strong>Cd</strong> 1-x Zn x )<strong>Te</strong>, x=0,10.29
Change language