(Cd,Mn)Te - Instytut Fizyki PAN

Sytuacja ta pozwala na przejście elektronów z pasma walencyjnego do pasmaprzewodnictwa, gdy osiągną energię większą od energii E g . Zjawisko wzbudzeniakreuje elektrony (w paśmie przewodnictwa) oraz puste miejsca w paśmie walencyjnym(dziury). Równanie określające prawdopodobieństwo termicznego wytworzenia paryelektron-dziura w jednostce czasu ma postać:32(p T) CT E gexp 2kT(2.3.5)gdzie T jest temperaturą absolutną, E g – przerwa energetyczna, k jest stałą Boltzmana,zaś C to stała proporcjonalności charakterystyczna dla danego półprzewodnika.Bezpośrednio z równania 2.3.5 wynika, że prawdopodobieństwo zależy od stosunkuszerokości E g do energii kT. W półprzewodnikach, w których wartość przerwyenergetycznej jest rzędu kilku eV, termiczne wzbudzenia praktycznie nie istnieją.Wytworzone termicznie nośniki (bez zewnętrznego pola) biorą udziałw przypadkowych termicznych ruchach powodując ich dyfuzję od miejsca pierwotnegozderzenia, a w ostateczności rekombinują ze sobą [18].Wysokie napięcie przyłożone do płytki detekcyjnej jest bezpośrednio związanez prądem upływu. Kiedy na płytkę detekcyjną nie pada promieniowanie, wykazuje onaskończoną przewodność i można obserwować ustalony prąd upływu. Optymalnadetekcja oraz redukcja szumów wymaga zminimalizowania prądu upływu. Natężenieprądu upływu jest proporcjonalne do przyłożonego napięcia, a odwrotnieproporcjonalne do oporności materiału detekcyjnego. Dlatego też, dąży się do produkcjimateriałów o jak największej wartości oporu właściwego materiału. Przy szczególnychzastosowaniach prąd upływu nie powinien przekraczać wartości 1 pA, po to by uniknąćistotnej degradacji rozdzielczości.34