(Cd,Mn)Te - Instytut Fizyki PAN

5.3.2. BADANIE TYPU PRZEWODNICTWAKiedy rozważane były warstwy monokrystaliczne jako kontakty elektrycznemieliśmy pewność, że hodowany materiał (cienka warstwa) ma wbudowaną domieszkę.Parametrem zapewniającym odpowiednie wbudowanie się domieszki była temperaturapodłoża i związane z nią procesy na powierzchni wzrastającej warstwy. Kiedyrozważamy warstwy amorficzne mamy do czynienia z temperaturą podłoża rzędu80 °C, która najprawdopodobniej nie zapewnia dyfuzji i może nie zapewniaćwbudowywania się domieszki w dane miejsce w sieci krystalicznej powstającegomateriału. Powstałe podczas napylania amorficznej warstwy nanokrystality owymiarach kilku do kilkunastu nanometrów mogą wbudować w środek swojej strukturymetaliczną domieszkę bądź umieścić ją dookoła nanokrystalitów – dekorować je. Niemożna przewidzieć jak zachowa się metaliczna domieszka. Koncepcja sprawdzenia czydomieszkujemy amorficzną warstwę lub może tylko jest ona dekorowana przez metalpolegała na napyleniu Sb i In na monokrystaliczne płytki ZnTe i CdTe przy różnychtemperaturach podłoża. Testy te miały wykazać czy ma miejsce proces dyfuzji.Na trzy monokrystaliczne podłoża w postaci płytek ZnTe był napylany (wwarunkach próżni) antymon (Sb - o grubości 300 nm) w temperaturach podłoża 80 °,150 ° i 250 °C w trzech kolejnych oddzielnych procesach. Zaś dla trzechmonokrystalicznych płytek CdTe był napylany (w warunkach próżni) ind (In - ogrubości 300 nm) w temperaturach podłoża 80, 150 i 250° C w trzech kolejnychoddzielnych procesach. Wszystkie sześć próbek zostało poddane obserwacjipowierzchni mikroskopem SEM oraz wykonane zostały dla nich profile składu SIMS.Obserwacje powierzchni pod mikroskopem SEM nie pozwoliły stwierdzić, czymetal wraz ze zmianą temperatury dekoruje materiał półprzewodnikowy, czy teżzachowuje się inaczej. Jedyną zauważalną rzeczą była wielkość ziaren napylanegometalu. Ich kształt wraz ze wzrostem temperatury robił się bardzie owalny (mniejposzarpany) zarówno dla Sb jak i In na odpowiednio podłożach z ZnTe oraz CdTe.Badania profili głębokościowych SIMS (z dokładnością do ~100 nm) tych próbek niewykazały by metale dyfundowały w głąb monokrystalicznych płytek przypodwyższaniu temperatury podłoża do 250 °C.140