(Cd,Mn)Te - Instytut Fizyki PAN

W przypadku CdTe i (Cd,Zn)Te wielu autorów [6-16] stwierdza, że ichkoncepcja metalizacji danym typem metalu jest najbardziej poprawna. Z drugiej stronywiele prac sugeruje, że problem jest nadal otwarty i wymaga dalszych badań.Rysunek 3.2.2. Charakterystyki I-V dlakryształów (Cd,Zn)Te z kontaktamiwykonanymi różnymi metodami orazprzy użyciu różnych typów metali [9].Jak określić poprawność wykonanego kontaktu? Najprostszą metodą jestwykonanie charakterystyki prądowo-napięciowej (I-V).Charakterystyki prądowo-napięciowe złącza metal – półprzewodnik są określoneprzez wysokość bariery na interfejsie. Jak już wspomniano w poprzednim rozdzialeteoria Schottky-Mott kontaktu metal-półprzewodnik [17] wykazuje, że wysoka wartośćpracy wyjścia metalu (np. Au) w stosunku do materiału typu n daje kontaktSchottkie’go natomiast dla materiału typu p kontakt omowy. Dla niskiej pracy wyjściametalu (np. In) zachodzi zjawisko odwrotne. W odniesieniu do typu nośnikówładunków można to zdefiniować tak, że dla materiału wysokooporowego wysoka(niska) praca wyjścia metalu dąży do bycia blokującym (wstrzykującym) dlaelektronów i wstrzykującym (blokującym) dla dziur [16,19].Według T. Schlezingera [7] pierwiastkami stosowanymi jako materiałkontaktowy do kryształów wysokooporowych, tj. CdTe i (Cd,Zn)Te są Au, Pt oraz Ag.Jednak w zależności od rodzaju kontaktu, jaki chcemy wykonać (blokujący czywstrzykujący), używane są także innego typu metale, co przedstawiono w tabeli 3.2.1.Metal Praca wyjścia Φ m [eV]In 4,1Ag 4,3Al 4,28Ti 4,33W 4,6Cu 4,6Au 5,1Pt 5,65Tabela 3.2.1. Wartości prac wyjścia dlapodstawowych pierwiastków wykorzystywanychjako materiał kontaktowy [20].68