(Cd,Mn)Te - Instytut Fizyki PAN
(Cd,Mn)Te - Instytut Fizyki PAN
(Cd,Mn)Te - Instytut Fizyki PAN
You also want an ePaper? Increase the reach of your titles
YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.
Następnie w całości płytka jest trawiona w roztworze 9% bromuw metanolu. W ten sposób otrzymywany jest czysty materiał z odpowiednią geometriąkontaktów elektrycznych.Próby napylania początkowo obejmowały jedynie jedną stronę płytki (<strong>Cd</strong>,<strong>Mn</strong>)<strong>Te</strong>(zgodnie z rys. 5.2.3 A z wcześniejszego rozdziału 5.2). Część otrzymanych wynikóww postaci charakterystyk I-V na bazie tych warstw została zebrana i przedstawionana rys. 5.3.2 A. Dotyczy to sytuacji, ze schematu 5.3.1 B, zaś rys. 5.3.2 B dotyczysytuacji przedstawionej na rys. 5.3.1 C.W kolejnych testach warstwy były napylane na obydwu stronach płytki(<strong>Cd</strong>,<strong>Mn</strong>)<strong>Te</strong> stosując różne ich kombinacje. Najbardziej interesujące wyniki dawałakombinacja zgodna z rys. 5.3.1 A.Rysunek 5.3.2. Zebrane przykładowe charakterystyki I-V wykonane metodą 2 sondową. Na materiale(<strong>Cd</strong>,<strong>Mn</strong>)<strong>Te</strong> z różnych wytopów zostały napylone warstwy amorficzne: A) warstwy Zn<strong>Te</strong>:Sb, B)warstwy <strong>Cd</strong><strong>Te</strong>:In, (odpowiednio dla Zn<strong>Te</strong>:Sb i <strong>Cd</strong><strong>Te</strong>:In w takich samych warunkach podczasprocesów napylania) wszystkie o grubości 1 μm, a następnie w warunkach tej samej próżni napylonezostało złoto. A) oporność właściwa płytek (<strong>Cd</strong>,<strong>Mn</strong>)<strong>Te</strong> była rzędu ρ ≈ 10 9 Ωcm, B) oporność właściwapłytek (<strong>Cd</strong>,<strong>Mn</strong>)<strong>Te</strong> była rzędu ρ ≈ 10 8 Ωcm. Wartość oporności właściwej wyznaczona zostałana podstawie pomiarów 4 sondowych.Rysunek 5.3.3 przedstawia przykładową charakterystykę I-V z pomiaru2 sondowego dla wysokooporowego monokrystalicznego (<strong>Cd</strong>,<strong>Mn</strong>)<strong>Te</strong> z amorficznymikontaktami <strong>Cd</strong><strong>Te</strong>:In i Zn<strong>Te</strong>:Sb odpowiednio na tellurowej i kadmowej stronie płytkipodłożeniowej.Rysunek 5.3.3. Charakterystyka I-Vdla płytki (<strong>Cd</strong>,<strong>Mn</strong>)<strong>Te</strong> z amorficznymikontaktami. Po jednej stronie Zn<strong>Te</strong>:Sb a podrugiej <strong>Cd</strong><strong>Te</strong>:In Pomiar przez 2 warstwy(obydwie o grubości 1 μm): kontakt 1 (1’)-Zn<strong>Te</strong>:Sb, kontakt 2 (2’) - <strong>Cd</strong><strong>Te</strong>:In (układz rozdziału 5.2 rys. 5.2.3 C). Prądprzepuszczany był z sondy 1 po jednejstronie do sondy 2’ na stronie drugiej,a następnie odwrotnie 2 → 1’. Opórwłaściwy z pomiarów 4 sondowych wynosiρ = 10 9 Ωcm.126
Change language