(Cd,Mn)Te - Instytut Fizyki PAN

W obszarze złącza monokrystalicznej warstwy i metalu przepływ nośnikówładunków nie stanowi problemu, ze względu na wysokie domieszkowanie wrastanychwarstw. Wzrastane były również inne zestawy warstw. Na jednej, a następnie na drugiejstronie materiału podłożowego wzrośnięte zostały jednego typu warstwypółprzewodnikowe ZnTe:Sb (rys. 5.2.4 B). Podobnie zostały wykonane procesywzrastania warstwy CdTe:In (rys. 5.2.4 C) na obydwu stronach materiału podłożowego.A) B) C)Rysunek 5.2.4. Schematycznie przedstawione konfiguracje ułożenia warstw monokrystalicznych jakokontaktów elektrycznych po obu stronach wysokooporowych płytek (Cd,Mn)Te.Po wykonaniu pomiarów I-V płytkę (nr 4503) wytrawiono i wypolerowano(mechano-chemicznie) z obydwu stron. Zostały wyhodowane na niej dwie warstwyZnTe:Sb (w dwóch osobnych procesach, przy czym po pierwszym procesie warstwa niezostała usunięta). Otrzymany został układ kontaktów jak pokazuje to rys. 5.2.4 B. Wtym przypadku charakterystyka I-V zmieniła swój kształt dając nieliniowe zależności I-V. Podobna sytuacja miała miejsce, gdy wyhodowane zostały na obydwu stronachpłytki (jak na schematach 5.2.4 A i C) warstwy ZnTe:In oraz CdTe:In. Kształtcharakterystyki I-V pokazuje rys. 5.2.6.Rysunek 5.2.5. Charakterystyki I-V (wykonanemetodą dwu sondową, układ jak na schemacie5.2.3 A) dla płytki (Cd,Mn)Te (nr 4503)z monokrystaliczną warstwą ZnTe:Sb oraz tasama płytka z monokrystaliczną warstwąCdTe:In. Oporność właściwa materiału z pomiarucztero sondowego wyniosła ρ ≈ 10 8 Ωcm.Rysunek 5.2.6. Charakterystyki I-V (wykonanemetodą dwu sondową, układ jak na schemacie5.2.3 C) dla płytki (Cd,Mn)Te (nr 4503)z monokrystaliczną warstwą ZnTe:Sb na stronieCd oraz warstwą CdTe:In na stronie Te płytki.Oporność właściwa materiału z pomiaru czterosondowego wyniosła ρ ≈ 10 7 Ωcm.115