(Cd,Mn)Te - Instytut Fizyki PAN
(Cd,Mn)Te - Instytut Fizyki PAN
(Cd,Mn)Te - Instytut Fizyki PAN
Create successful ePaper yourself
Turn your PDF publications into a flip-book with our unique Google optimized e-Paper software.
4.4. STANDARDOWY PRZEBIEG PROCESÓW WZROSTUI NAPYLANIA WARSTW <strong>Cd</strong><strong>Te</strong>:In, <strong>Cd</strong><strong>Te</strong>:I ORAZZn<strong>Te</strong>:SbPo szlifowaniu i polerowaniu, płytka (<strong>Cd</strong>,<strong>Mn</strong>)<strong>Te</strong> jest trawiona, by uzyskaćpowierzchnię „epi-ready”. Tak przygotowana powierzchnia (o orientacji (111)) w ciągukilku minut, zanim trafi do komory maszyny MBE, nie ulegnie utlenianiu dziękiakumulacyjnej warstewce telluru. Następnie zostaje wstępnie odpompowana przezpompę rotacyjną połączoną z główną komorą bajpasem (co trwa 3-4 h). Po osiągnięciupróżni rzędu 10 -4 Tr włączamy pompę dyfuzyjną. Gdy na pompie dyfuzyjnej, opatrzonejw wymrażarkę napełnioną ciekłym azotem, uzyskamy próżnię rzędu 10 -8 Tr, włączamyją w obwód i poprawiamy próżnię w komorze głównej. Stan próżni jest monitorowanyza pomocą umieszczonej pomiędzy pompą dyfuzyjną, a komorą główną sondąjonizacyjną, oraz umieszczoną w komorze głównej sondą Bolesławiecką. <strong>Te</strong>n etappompowania trwa do uzyskania w komorze próżni rzędu 10 -7 Tr (co zajmuje kilkagodzin). Dodatkowo uzupełniamy ciekłym azotem wymrażarkę umieszczoną nakomorze głównej, tak by poprawiać stan próżni. Podczas procesu komora główna orazsystem przy komórkach efuzyjnych są chłodzone wodą.Kolejnym etapem jest ustawienie temperatur na komórkach efuzyjnych i stoliku.Zanim dostosowane zostały odpowiednie temperatury przeprowadzono szeregpomiarów składu wzrastanych warstw metodą SIMS by ustalić odpowiednietemperatury (ciśnienia par) na komórkach efuzyjnych z materiałami <strong>Cd</strong><strong>Te</strong> , Zn<strong>Te</strong>, Sbi In. Szczegółowe temperatury dla danej komórki efuzyjnej z materiałem przedstawiatabela 4.4.1. Dodatkowo, by ustalić w jakim czasie wzrastana jest warstwa o danejgrubości, wykonano badania pomiaru grubości przy użyciu aparatu α-step DEKTAK6M Profilomiter oraz mikroskopii SEM. Czas wzrostu monokrystalicznej warstwyo grubości średnio 0,85 μm dla <strong>Cd</strong><strong>Te</strong>:I w maszynie MBE prof. T. Wojtowicza oraz0,7 – 0,8 μm dla Zn<strong>Te</strong>:Sb i <strong>Cd</strong><strong>Te</strong>:In w maszynie MBE (z oddziału ON 1.1) wyniósł 1 h.Wartości te zostały podane na podstawie danych głównie z obrazów SEM przekroipoprzecznych, jak pokazuje to rys. 4.4.1.Przed i w trakcie procesu wzrostu monokrystalicznych warstw Zn<strong>Te</strong>:Sb oraz<strong>Cd</strong><strong>Te</strong>:In sprawdzana była jakość podłoża (<strong>Cd</strong>,<strong>Mn</strong>)<strong>Te</strong> przy użyciu układu RHEED.102
Change language