(Cd,Mn)Te - Instytut Fizyki PAN
(Cd,Mn)Te - Instytut Fizyki PAN
(Cd,Mn)Te - Instytut Fizyki PAN
You also want an ePaper? Increase the reach of your titles
YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.
W przypadku procesów napylania sprawdzana jest jedynie struktura podłoża przedrozpoczęciem procesu, gdyż podczas i na koniec procesów na ekranie nie widaćżadnych refleksów dyfrakcyjnych (warstwa jest amorficzna).A)Rysunek 4.4.1. Przykładowe obrazy przekroipoprzecznych płytek z wzrośniętymimonokrystalicznymi warstwami, wykonanemikroskopem SEM:(A) <strong>Cd</strong><strong>Te</strong>:I próbka nr 020409A (maszynieprof. T. Wojtowicza) oraz (B) Zn<strong>Te</strong>:Sbpróbka 4580-7 (w naszej maszynie MBE).B)Materiał w komórkachefuzyjnych<strong>Te</strong>mperaturakomórki efuzyjnej [°C]<strong>Cd</strong><strong>Te</strong> 600In 660Zn<strong>Te</strong> 610Sb 460 - 500Tabela 4.4.1. Wartości temperatur nakomórkach efuzyjnych z materiałami doprocesów wzrostu (lub napylania).<strong>Te</strong> 280<strong>Cd</strong> 150-180<strong>Te</strong>mperatura podłoża podczas procesów wzrostu monokrystalicznych warstwZn<strong>Te</strong>:Sb lub <strong>Cd</strong><strong>Te</strong>:In wynosiła 450 °C. Monokrystaliczne warstwy Zn<strong>Te</strong>:Sb typu pwzrastane były na stronie <strong>Cd</strong> płytki (<strong>Cd</strong>,<strong>Mn</strong>)<strong>Te</strong>, zaś warstwy <strong>Cd</strong><strong>Te</strong>:In typu n na stronie<strong>Te</strong> płytki (<strong>Cd</strong>,<strong>Mn</strong>)<strong>Te</strong>. Do momentu uzyskania przez stolik oczekiwanej temperatury,obserwowany był obraz RHEED. Po czasie około 15-20 minut (przy temperaturzeokoło 300 °C) od rozpoczęcia grzania stolika z płytką (<strong>Cd</strong>,<strong>Mn</strong>)<strong>Te</strong>z nieuporządkowanych kropek na ekranie fluoroscencyjnym zaczynały pojawiać sięuporządkowane „streaks’y” co świadczyło, że nadmiar telluru (warstwy akumulacyjnej)został już odparowany i mamy gotową do epitaksji gładką powierzchnię.103
Change language