(Cd,Mn)Te - Instytut Fizyki PAN

przypowierzchniowej półprzewodnika. Wyrównanie się poziomów Fermiego kończyprzepływ nośników. Ponieważ donory zajmują ustalone miejsce w sieci, więc powstaływ półprzewodniku dodatni ładunek nie znajduje się przy samej powierzchni, ale jestodpowiednio rozłożony w pobliżu tej powierzchni. Obszar zjonizowanych donorów postronie półprzewodnika zwany jest warstwą ładunku przestrzennego (warstwąbarierową). Na grubość tej warstwy wpływa wartość potencjału dyfuzyjnego orazkoncentracja zjonizowanych donorów [2].Oznacza to, że od strony półprzewodnika poziomy energetyczne obniżą sięo wartość Φ m – Φ s w stosunku do poziomu próżni. Wówczas prawdopodobieństwoprzejścia elektronu z półprzewodnika do metalu i odwrotnie stają się sobie równe.Zachodzi zjawisko zagięcia się pasm energetycznych ku górze. Spowodowane jest onoistnieniem w półprzewodniku przypowierzchniowego nieskompensowanego dodatniegoładunku zjonizowanych donorów (przy powierzchni półprzewodnika występuje niższakoncentracja elektronów niż w jego wnętrzu).Cześć elektronów w metalu ze względu na drgania termiczne ma wystarczającąenergię, by pokonać barierę potencjalną i przejść do półprzewodnika. To samo tyczy sięelektronów w półprzewodniku. W stanie równowagi termodynamicznej oba te prądypokonujące barierę są skierowane przeciwnie, ale są sobie równe co do wartości.Natężenie tych prądów oznaczamy jako I 0 . Jeżeli do półprzewodnika przyłożymyujemny potencjał (– U) bariera dla elektronów przepływających ze strony lewej naprawą nie zmieni się co oznacza że prąd płynący zgodnie z tym kierunkiem nie możeulec zmianie. Natomiast w paśmie przewodnictwa poziomy energetyczne podnoszą sięo wartość eU. Dlatego też bariera dla elektronów płynących z prawej na lewą stronęzłącza obniża się o wartość eU. W konsekwencji prąd płynący z lewej na prawą stronęzłącza musi zmieniać się o czynnik exp (eU/kT). Jest to złącze prostujące: dla U >> kT/e, prąd jest duży i dodatni (złącze spolaryzowane w kierunkuprzewodzenia), dla U