(Cd,Mn)Te - Instytut Fizyki PAN

Pamiętać trzeba, że dla warstwy amorficznej (lub drobno monokrystalicznej)przewodnictwo przynajmniej w znacznej części powinno być przewodnictwemhoppingowym pomiędzy licznymi poziomami w przerwie energetycznej wynikłymi zezdefektowania nano – ziaren. Dla przewodnictwa hoppingowego pomia efektu Halla niema sensu. Należy także pamiętać, że mamy tu dodatkowo efekt od granic pomiędzynano – ziarnami. Prawdopodobnie granice te są w dodatku dekorowane metalem(Sb, In) domieszki.Nr próbkiPodłożeNapylanawarstwaTypwarstwyPomiary efektu HallaKoncentracjanośników wwarstwie ogrubości 1μm[cm -3 ]Ruchliwość[cm 2 /Vs]Opornośćwłaściwawarstwy ogrubości 1μm[Ωcm]4580B CdMnTe:V CdTe:I n 3·10 17 150 1,4·10 -1020409B GaAs/CdMnTe CdTe:I n 2·10 17 120 2,6·10 -14527C CdMnTe:V ZnTe:Sb p 1·10 18 80 7,8·10 -24527D CdMnTe:V ZnTe:Sb p 7·10 17 90 9,9·10 -24580D CdMnTe:V CdTe:In n 5·10 17 130 9,6·10 -2Tabela 5.3.3. Wyniki badań efektu Halla dla amorficznych warstw. Pomiary w T = 300 K.W celu porównania nie znaleziono w literaturze danych na temat koncentracjiczy ruchliwości nośników ładunków w amorficznych warstwach odpowiedniodomieszkowanych i otrzymywanych w konkretnych warunkach. W ostatecznościjednak można stanowczo stwierdzić, że warstwy amorficzne silnie domieszkowanedziałają dobrze jako kontakty elektryczne co udowadnia niniejsza rozprawa.A) B) C)Rysunek 5.3.8. Profile SIMS 1 μm – owych amorficznychwarstw. A) próbka nr 4580 B z warstwą CdTe:I, B) próbka nr020409 B z warstwą CdTe:I, C) próbka nr 4580 D z warstwąCdTe:In, D) próbka nr 4527 C z warstwą ZnTe:Sb. Dlawszystkich czterech profili głębokość wnikania wiązkielektronów w materiał była rzędu 2 – 3 μm.D)131