(Cd,Mn)Te - Instytut Fizyki PAN

More documents

Recommendations

Info

Metoda ta jest powierzchniową metodą badania ciał stałych, znajdując szerokiezastosowanie w wielu dziedzinach nauki, na przykład w ilościowej i jakościowejanalizie chemicznej.Przy pomocy tej metody badawczej dokonano analizy, jakości użytych dowzrostu kryształów materiałów oraz samych wytopów. Wykorzystany do pomiarówaparat to spektrometr masowy CAMECA IMS6F, z możliwością użycia wiązki cezowejlub tlenowej. Energia wiązki to 14,5 keV lub 5,5 keV dla cezu i 8 keV dla tlenu. Obszarskanowania wiązką od 30 x 30mikronów do standardowego 200 x 200 mikronów lubdowolnie większy. Badania oraz interpretacja uzyskanych wyników zostały wykonaneprzy współpracy z dr R. Jakiełą z laboratorium SL 1.2 w IF PAN w Warszawie.154
6.4. POMIARY GRUBOŚCI WARSTW, ANALIZA SKŁADUPOWIERZCHNI - SEMElektronowy mikroskop skaningowy (SEM - Scanning Electron Microscope)jest przyrządem za pomocą którego uzyskiwany jest obraz w wyniku "bombardowania"próbki wiązką elektronów. Wiązka ta skupiona jest na przedmiocie w postaci małejplamki (nawet do 1nm). Obserwowany obszar „oblewa” wiązka elektronów, liniapo linii. Układ taki często jest wyposażony w wiele detektorów. Prawie zawszeinstalowany jest detektor niskoenergetycznych elektronów wtórnych emitowanychprzez próbkę w wyniku jej pobudzenia przez elektrony wiązki (SE - SecondaryElectrons) oraz detektor elektronów odbitych (BSE - Back Scattered Electrons).W układach takich dość często instalowane są także np. detektory promieniowaniarentgenowskiego wzbudzanego w próbce przez wiązkę - spektroskopia długości fal(WDS - Wavelength Dispersion Spectroscopy) lub energii (EDS - Energy DispersionSpectroscopy zwana także EDX - Energy Dispersive X-ray Analysis). Modyte pozwalają na uzyskanie informacji o ilościowych składach pierwiastkówwchodzących w skład badanego materiału.Nieprzewodzące często materiały pod wpływem wiązki elektronów ładują sięujemnie i uniemożliwiają uzyskanie obrazu. Z tego powodu próbki nieprzewodząceprzed obserwacją prawie zawsze muszą być napylane cienką warstwą materiałuprzewodzącego (np. złoto, osm, węgiel (grafit), pasta srebrna).Czyste krystaliczne płytki (Cd,Mn)Te, jak i z naniesionymi kontaktamiw postaci cienkich warstw, badane były przy użyciu mikroskopu SEM firmy Hitachi,zaś mod Su-70 EDS (Termo Scientific NSS system) wyposażony jest w detektor SDD.Pomiary oraz ich interpretacja wykonywane zostały we współpracy z mgr A. Reszką iprof. nzw. dr hab. B. Kowalskim z laboratorium ON 4.4 IF PAN w Warszawie.155
Page 1:
INSTYTUT FIZYKI POLSKIEJ AKADEMII N
Page 6 and 7:
1.1. CEL I STRESZCZENIE ROZPRAWYNin
Page 8 and 9:
Nowe pomysły na wykonanie kontakt
Page 10 and 11:
wewnętrzny efekt fotoelektryczny,
Page 12 and 13:
W półprzewodniku fotoelektron bę
Page 14 and 15:
ozprawy.odpowiednia szerokość prz
Page 16 and 17:
Rysunek 2.1.7. Zależność absorpc
Page 18 and 19:
Mimo, że detektory promieniowania
Page 20 and 21:
Rysunek 2.2. 1. Prosta geometria de
Page 22 and 23:
Parametry wymagane od materiałów
Page 24 and 25:
Iloczyn μτ jest bardzo istotnym p
Page 26 and 27:
Pomiędzy serią elektrod (dynod) p
Page 28 and 29:
Rysunek 2.2.2. Porównanie uzyskane
Page 30 and 31:
Rysunek 2.2.4. Kryształy do produk
Page 32 and 33:
2.3. MECHANIZM ZBIORU NOŚNIKÓW Ł
Page 34 and 35:
Sytuacja ta pozwala na przejście e
Page 36 and 37:
powierzchni (111) pomiędzy płaszc
Page 38 and 39:
Temperaturową zmianę szerokości
Page 40 and 41:
gdzie C solid oznacza skład molowy
Page 42 and 43:
Po stopieniu materiału źródłowe
Page 44 and 45:
Ze względu na materiał, o którym
Page 46 and 47:
Manipulując intencjonalnymi domies
Page 48 and 49:
Nr wytopuKryształy (Cd,Mn)Tekoncen
Page 50 and 51:
Związane jest to z polarnością k
Page 52 and 53:
W kolejnym kroku wkładamy ampułę
Page 54 and 55:
Obraz krawędzi płytki z licznymi
Page 56 and 57:
17. J. D. Eskin, „Current state-o
Page 58 and 59:
3. KONTAKTY ELEKTRYCZNEUzyskanie do
Page 60 and 61:
Odpowiedni dobór metalu (pracy wyj
Page 62 and 63:
Przykładowo dla CdTe typu p praca
Page 64 and 65:
przypowierzchniowej półprzewodnik
Page 66 and 67:
Cały proces odbywa się w warunkac
Page 68 and 69:
W przypadku CdTe i (Cd,Zn)Te wielu
Page 70 and 71:
Wszystkie metody opierają się na
Page 72 and 73:
Prace [27-29] dokładnie opisują s
Page 74 and 75:
W kwestii obniżenia LC autorzy pra
Page 76 and 77:
BIBLIOGRAFIA DO ROZDZIAŁU 31. T. P
Page 78 and 79:
4. EPITAKSJA Z WIĄZEK MOLEKULARNYC
Page 80 and 81:
Temperatura źródła zależy od ty
Page 82 and 83:
W dolnej części komory umieszczon
Page 84 and 85:
Komora reakcyjna dodatkowo opatrzon
Page 86 and 87:
Zakładając, że transport atomów
Page 88 and 89:
4.1. FIZYCZNE PODSTAWY WZROSTU WARS
Page 90 and 91:
dysocjacja adsorbowanych molekuł;
Page 92 and 93:
W przypadku elektronów o energii r
Page 94 and 95:
Zależność opisującą prawdopodo
Page 96 and 97:
Związane jest to z ewolucją mecha
Page 98 and 99:
Płytki o grubości 2-3 mm poddawan
Page 100 and 101:
Powierzchnia zbyt chropowata by wyk
Page 102 and 103:
4.4. STANDARDOWY PRZEBIEG PROCESÓW
Page 104 and 105: W przypadku monowarstw ZnTe:Sb oraz
Page 106 and 107: BIBLIOGRAFIA DO ROZDZIAŁU 41. Z. R
Page 108 and 109: jaką jest napylanie na półizoluj
Page 110 and 111: Rysunek 5.1.1. Charakterystyka I-V
Page 113 and 114: 5.2. MONOKRYSTALICZNE WARSTWY JAKO
Page 115 and 116: W obszarze złącza monokrystaliczn
Page 117 and 118: Nr próbkiPodłożeWarstwaFWHM(arc
Page 119 and 120: Badania te na warstwach monokrystal
Page 121 and 122: Wykonane także zostały (metodą S
Page 123 and 124: 5.3. AMORFICZNE WARSTWY JAKO KONTAK
Page 125 and 126: Poziom energii Fermiego jest blisko
Page 127 and 128: Niezależnie przez którą z sond (
Page 129 and 130: Na rys. 5.3.4 B i 5.3.5 B widać li
Page 131 and 132: Pamiętać trzeba, że dla warstwy
Page 133 and 134: 5.3.1. OPTYMALIZACJA GRUBOŚCI WARS
Page 135 and 136: We wszystkich trzech przypadkach mo
Page 137 and 138: Jednak w naszej opinii powierzchnia
Page 139 and 140: Rysunek 5.3.1.6. Charakterystyki I-
Page 141 and 142: Jedyną istotną informacją jaką
Page 143 and 144: Na podstawie tych pomiarów można
Page 145 and 146: Po wyznaczeniu charakterystyk I-V z
Page 147 and 148: 5.3.4. PASYWACJA POWIERZCHNIDo wyko
Page 149 and 150: Pasywacja roztworem (NH 4 ) 2 SIII)
Page 151 and 152: 6. UKŁADY POMIAROWE WYKORZYSTANE D
Page 153: 6.3. POMIARY SKŁADU PIERWIATKOWEGO
Page 157 and 158: Stała Halla (R H ) bezpośrednio w
Page 159 and 160: Z powodu odpowiednio wysokich (~10
Page 161 and 162: Rysunek 6.7.1. Schemat zasady dzia
Page 163 and 164: Rysunek 6.7.2. A) Schemat ułożeni
Page 165 and 166: 7 WNIOSKI I PODSUMOWANIEBadania pod
Page 167 and 168: Na podstawie badań przedstawionych
show all

(Cd,Mn)Te - Instytut Fizyki PAN

You also want an ePaper? Increase the reach of your titles

Delete template?

Save as template?