(Cd,Mn)Te - Instytut Fizyki PAN

Mimo, że detektory promieniowania X i gamma na tych związkachwytwarzane są już od ponad 15 lat, nadal jest wiele problemów związanychz ich produkcją.Chcąc jak najdokładniej zobrazować metody wzrostu, właściwości fizyczneoraz najważniejsze parametry kwalifikujące materiały do użycia na detektorypromieniowania X i gamma, stworzono tabelę, gdzie wszystkie te dane zostałyprzypisane dla danego materiału. Zawarte w tabeli informacje opisują materiałynajbardziej popularne ze względu na zastosowanie do produkcji detektorów tego typu.Najciekawsze materiały pod kątem zastosowania na detektory stanowiązwiązki z grupy II-VI, stąd też zostały one opisane bardziej wnikliwie, podczas gdyw przypadku półprzewodników z grupy III-V przedstawiono tylko zarysich właściwości, by pokazać różnice i podkreślić zalety związków II-VI.Materiał Si Ge GaAs CdTe Cd 0.9 Zn 0.1 Te HgI 2Strukturakubiczna kubicznakubiczna kubicznakubiczna (ZB) tetragonalnakrystalograficzna(ZB) (ZB)Metody wzrostu C C CVD THM HPB, THM VAMZ -liczba atomowa 14 32 31,33 48,52 48,30,52 80,53Gęstość (g/cm 3 ) 2,33 5,33 5,32 6,2 5,78 6,4Przerwa energetycznaE g (eV)Energia kreacji paryelektron-dziuraOporność właściwaρ (Ωcm)1,12 0,67 1,4 1,51 1,6 2,133,62 2,96 4,2 4,43 4,6 4,210 4 50 10 7 10 9 10 10 10 13μ e (cm 2 /Vs) 1400 3900 8600 1100 1000 100μ h (cm 2 /Vs) 1900 1900 400 100 120 4τ e (s) >10 -3 >10 -3 10 -8 10 -6 10 -5 3·10 -6τ h (s) 10 -3 2·10 -3 10 -7 10 -6 10 -6 10 -5μ e τ e (cm 2 /V) >1 >1 8·10 -5 10 -3 10 -3 - 10 -2 10 -4μ h τ h (cm 2 /V) ~1 >1 4·10 -6 10 -4 10 -5 10 -5Tabela 2.2.1. Właściwości fizyczne głównych związków półprzewodnikowych w T = 25˚Cwykorzystywanych do budowy detektorów X i gamma. (ZB - zinc blend, C – Czochralski,CVD - chemical vapor deposition, THM – travelling heater method, HPB – high-pressure Bridgman,VAM – vertical ampoule method) [3,9].18