(Cd,Mn)Te - Instytut Fizyki PAN
(Cd,Mn)Te - Instytut Fizyki PAN
(Cd,Mn)Te - Instytut Fizyki PAN
You also want an ePaper? Increase the reach of your titles
YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.
3.2. KONTAKTY ELEKTRYCZNE DO <strong>Cd</strong><strong>Te</strong> I (<strong>Cd</strong>,Zn)<strong>Te</strong>Wiele publikacji, dotyczących <strong>Cd</strong><strong>Te</strong> i (<strong>Cd</strong>,Zn)<strong>Te</strong> jako materiałów na detektorypromieniowania X i gamma, przedstawia zjawiska zachodzące między materiałemkontaktowym (metalem), a półizolującym półprzewodnikiem. Prace te bardzo szerokoomawiają temat odpowiednich kontaktów do tego typu materiałów. W oparciu o bogatąbazę doświadczalnej części tych publikacji, przeprowadzono wiele porównań,a ich wyniki przełożono na półizolacyjne kryształy (<strong>Cd</strong>,<strong>Mn</strong>)<strong>Te</strong> badane w niniejszejpracy doktorskiej.Ośrodki badawcze i przedsiębiorstwa produkujące na świecie detektorypromieniowania X i gamma stosują różne formy metalizacji płytek dla półizolującego(<strong>Cd</strong>,Zn)<strong>Te</strong>, czy też <strong>Cd</strong><strong>Te</strong>. Dlatego też, w części rozdziału przedstawiono obecny stanwiedzy na temat kontaktów do związków <strong>Cd</strong><strong>Te</strong> i (<strong>Cd</strong>,Zn)<strong>Te</strong>.W niniejszym rozdziale przedstawiono metody i materiały używanedo wytwarzania kontaktów elektrycznych dla związków: <strong>Cd</strong><strong>Te</strong> i (<strong>Cd</strong>,Zn)<strong>Te</strong>.Wymieniono w nim podstawowe problemy związane z otrzymywaniem kontaktów orazmożliwe rozwiązania technologiczne.Wyróżniamy trzy główne metody nanoszenia kontaktów elektrycznych:• parowanie (TVE – „thermal vacuum evaporation”),• napylanie (SD – „sputtering deposition”),• osadzanie chemiczne (ED – „electroless deposition”).Każda z wymienionych metod prowadzi do powstania warstwy „przejściowej”(cienkiej warstwy) pomiędzy materiałem a metalem. Jest to wynik szeregu procesówzachodzących przy powierzchni materiału.Parowanie (TVE) polega na wybiciu strumienia molekuł materiału, który osadzasię na substracie w warunkach próżni (10 -6 - 10 -5 Tr), wykorzystując przepływ prądu lubwiązkę wysokoenergetycznych elektronów. Dwa różne warianty tej metody przestawiarys. 3.2.1.Metoda napylania (SD) polega na wybijaniu atomów z materiału, który mazostać osadzony na podłożu, przy użyciu gazu rozpylającego (sputtering gas). Takuwolnione z materiału (sputtering target) jony (o energii powyżej 10 eV)przemieszczają się w linii prostej w stronę substratu i osadzają się na nim.65