(Cd,Mn)Te - Instytut Fizyki PAN

Wykonano charakterystyki I-V dla płytek z amorficzną warstwą w temperaturzepokojowej i w temperaturze ciekłego azotu. W metalach występują dwa mechanizmyrozpraszania elektronów na fononach i na domieszkach.Rozpraszanie na fononach ma miejsce w dostatecznie wysokich temperaturach(powyżej 100 K) zaś rozpraszanie na domieszkach, ma miejsce w niskich temperaturach(rzędu paru K). Wzrost temperatury powoduje zatem spadek wartości ruchliwościnośników oraz parametru przewodności właściwej metali (w odpowiednio wysokichtemperaturach). Zależność oporności właściwej od temperatury ρ(T) dla większościmetali stanowi zbliżoną do liniowej zależność temperaturową.Dla półprzewodników samoistnych i domieszkowych zależność przewodnościelektrycznej od temperatury jest uwarunkowana głównie zależnością koncentracjinośników od temperatury. W obszarze niskich temperatur dominuje przewodnictwodomieszkowe, w temperaturach wysokich przeważa przewodnictwo samoistne.Przewodność właściwa związana jest z temperaturą silną zależnością typuwykładniczego.Dla czterech płytek, gdzie w procesach napylania temperatury podłoża wynosiły80 i 150° C pomiar oporu w temperaturze pokojowej wyniósł około R ≈ 10 5 Ω (dlawarstw ZnTe:Sb) i R ≈ 10 6 Ω (dla warstw CdTe:In), zaś te same próbki zanurzonew ciekłym azocie dały wartość oporu rzędu R ≈ 10 12 Ω zarówno warstwy ZnTe:Sb jaki CdTe:In. Sytuacja wyglądała inaczej w przypadku dwóch płytek z warstwamiZnTe:Sb i CdTe:In, gdzie temperatura podłoża podczas napylania wynosiła 250°C.Wartości oporu w temperaturze pokojowej dla:1) ZnTe:Sb → R ≈ 2,5·10 3 Ω, i 2) CdTe:In → R ≈ 3·10 3 Ω.Natomiast pomiary w temperaturze ciekłego azotu wykazały opory dla:1) ZnTe:Sb → R ≈ 5,3·10 3 Ω, i 2) CdTe:In → R ≈ 7,2·10 3 Ω.Takie zachowanie może być tłumaczone tym, że przy temperaturze podłoża250 °C ma miejsce bardziej efektywne domieszkowanie powstającej amorficznejwarstwy. W rezultacie może mieć miejsce przewodnictwo zbliżone do metalicznegojeżeli założymy, że otrzymaliśmy bardzo szerokie odpowiednio dla akceptorów idonorów pasmo domieszek (zachodzące na odpowiednio pasmo przewodnictwa czywalencyjne). Zarówno dla warstwy ZnTe:Sb jak i CdTe:In napylanych w temperaturzepodłoża rzędu 250 °C otrzymano z pomiaru Halla (przy całych do tego pomiaruzastrzeżeniach) koncentracje nosików na poziomie 2 - 9·10 20 cm -3 (czyli 100 razywiększą niż dla temperatur podłoża 80 i 150°C).142