(Cd,Mn)Te - Instytut Fizyki PAN

Temperatura źródła zależy od typu materiału i żądanego stężenia reagentu.Komórki mają stabilną prędkość parowania przez okres wielu godzin.Stosowane są również źródła gazowe lub plazmowe. Urządzenie sterujące stolikiem z podłożem, wyposażone w blok grzejny i seriętermopar oraz przesłonę nad podłożem. Blok grzejny spełnia dwie ważnefunkcje: pozycjonuje podłoże na przecięciu się różnych wiązek molekuł orazpodgrzewa go do temperatury wzrostu warstwy. Właściwa temperaturapowoduje, że docierające do podłoża atomy mają wystarczającą energię dodyfuzji po jego powierzchni i znalezienia odpowiedniego miejscaw krystalizującej warstwie. W typowych zastosowaniach ma on temperaturę300-700 °C i wykonany jest z molibdenu lub tantalu. Działo elektronowe oraz ekran fluoroscencyjny RHEED. Seria sond do kontroli poziomu próżni.Rysunek 4.2. Schemat komórki efuzyjnejstosowanej w aparaturze MBE [1].System pomp jest niezbędny w celu otrzymania UHV w komorze MBE, abyzminimalizować ilość zanieczyszczeń tła. Podczas hodowli warstwy poziomelektrycznie aktywnych zanieczyszczeń powinien być niski rzędu ~10 10 cm -3 .Uzyskanie takiego tła zanieczyszczeń gazowych w komorze maszyny MBE (w czasie,gdy komórki efuzyjne są zimne) wymaga UHV. Ultra wysoka próżniaw komorze uzyskiwana jest dzięki pompom: turbomolekularnym, jonowo-sorpcyjnym,tytanowym, sublimacyjnym lub kriogenicznym. Dodatkowe pompowanie odbywa sięprzy użyciu chłodzonych ciekłym azotem sublimatorom tytanowym i cryopanelowi.Zazwyczaj do komory wzrostu dołączona jest komora wstępna (z próżnią wstępną)wyposażona w układ transportowy i grzewczy podłoża. Stosuje się także komoryanalityczne wykorzystywane do charakteryzacji wzrastanych warstw.80