(Cd,Mn)Te - Instytut Fizyki PAN

W sytuacji, kiedy mamy nadmiar telluru na powierzchni (warstwy akumulacyjnej),łatwo jest usunąć taką warstewkę w próżni przy odpowiednim podgrzaniu podłoża.Rysunek 4.3.2. Analiza składu powierzchnimetodą SIMS kryształu ZnTe. Porównaniepowierzchni trawionej na „epi-ready”i czystej (nietrawionej) powierzchni.Widoczna cienka warstwa akumulacyjna Tei zubożona warstwa kationowa.Rysunek 4.3.3. Analiza składu powierzchni metodą SIMSkryształu (Cd,Mn)Te. Powierzchnia „epi-ready” - przypowierzchni widoczna kumulacja anionów – warstwaakumulacyjna Te, a zubożona w kationy Cd, [6].Uzyskujemy wówczas idealną powierzchnię gotową do procesów epitaksji.W przypadku materiałów z grupy II-VI taka powierzchnia z akumulacyjną warstwątelluru jest usuwana w maszynie MBE poprzez podgrzanie płytki do około 300 °C.Powierzchnia po odparowaniu nadmiaru telluru jest nazywana powierzchnią„epi-ready”. Trawienie selektywne w przypadku płytek (Cd,Mn)Te powodujepowstanie bogatej w tellur powierzchni o grubości około 20 Å (rys. 4.3.2).4. Powierzchnia przygotowywana pod kontakt z amorficznych warstwpółprzewodnikowych (w maszynie MBE).Procedura przygotowania powierzchni dla procesów napylania amorficznych warstwkontaktowych jest podobna jak w przypadku wzrostu warstw monokrystalicznych.Wyjątkiem jest jedynie to, że akumulacyjna warstwa Te nie zostaje odparowywana,gdyż maksymalna temperatura do jakiej podłoże jest podgrzewana to 80 °C.Przeprowadzono szereg badań nad strukturą powierzchni różnieprzygotowywanych podłoży z płytek (Cd,Mn)Te, zarówno do procesów wzrastania, jaki napylania.Głównym narzędziem badawczym w tym przypadku był mikroskop siłatomowych a pomocą którego można ustalić parametr chropowatości powierzchni(RMS Roughness - Root Mean Square).99