(Cd,Mn)Te - Instytut Fizyki PAN
(Cd,Mn)Te - Instytut Fizyki PAN
(Cd,Mn)Te - Instytut Fizyki PAN
Create successful ePaper yourself
Turn your PDF publications into a flip-book with our unique Google optimized e-Paper software.
5.2. MONOKRYSTALICZNE WARSTWY JAKO KONTAKTYPomysł na wykonanie kontaktów elektrycznych do wysokooporowych płytek(<strong>Cd</strong>,<strong>Mn</strong>)<strong>Te</strong> w postaci warstw monokrystalicznych podsunęła nam praca D. Rioux [3]z 1993r. Idea użycia warstwy silnie domieszkowanej wydawała się być dobrą i możliwądo zastosowania w naszych warunkach. W tym przypadku silnie domieszkowanaantymonem (Sb) na typ p na poziomie 10 18 cm -3 , warstwa Zn<strong>Te</strong> tworzy kontaktz metalem nie stanowiąc bariery (Schottky’ego) dla nośników ładunku. Wytwarza sięjedynie odpowiednio wąski obszar, przez który ładunki mogą swobodnie tunelować(rys. 5.2.1). Wybór Zn<strong>Te</strong> jako warstwy przejściowej został dokonany głownie napodstawie stosunkowo małego przesunięcia pasm walencyjnych („band offset”) rzęduΔE V ≈ 0,1 eV pomiędzy <strong>Cd</strong><strong>Te</strong> a Zn<strong>Te</strong>. Najistotniejsze jednak wydaje się to, że poprzezsilnie domieszkowanie warstwy Zn<strong>Te</strong> uzyskujemy obszar swobodnych ładunkóww pobliżu złącza z metalem, co powoduje powstanie wąskiej tunelowej bariery (rys.5.2.2). Dzięki temu zabiegowi ładunki mogą bez problemu przez nią tunelować,co w rezultacie daje liniowe (prawie omowe) charakterystyki I-V.Rysunek 5.2.1. (A) Schemat bariery Schottky’egopomiędzy metalem a <strong>Cd</strong><strong>Te</strong> typu p. B) Schematproponowanej bariery tunelowej, gdzie warstwa Zn<strong>Te</strong>typu p stanowi przejściowy element pomiędzy <strong>Cd</strong><strong>Te</strong>typu p a metalem. Warstwa Zn<strong>Te</strong> jest silniedomieszkowana [3].Na podstawie tego pomysłu został zaproponowany model (rys. 5.2.2)dla monokrystalicznych płytek (<strong>Cd</strong>,<strong>Mn</strong>)<strong>Te</strong> z przejściową monokrystaliczną warstwąZn<strong>Te</strong>:Sb. Wykorzystując maszynę MBE wzrastane mogły być warstwy: Zn<strong>Te</strong>:Sb (nastronie <strong>Cd</strong>) oraz <strong>Cd</strong><strong>Te</strong>:In (na stronie <strong>Te</strong>)na wysokooporowych płytkach (<strong>Cd</strong>,<strong>Mn</strong>)<strong>Te</strong>.W pracy D. Rioux [3] epitaksjalna warstwa Zn<strong>Te</strong>:Sb osiągała grubość około 300 Å.W naszym przypadku wszystkie monowarstwy osiągały grubość do 1 μm. Uzyskane pohodowli warstwy poddane zostały serii badań.113
Change language