(Cd,Mn)Te - Instytut Fizyki PAN

Na rys. 5.3.4 B i 5.3.5 B widać liniowe w całym zakresie charakterystykii zachowane odpowiednie proporcje oporu pomiędzy danymi parami kontraktów.To oznacza, że mamy do czynienia z kontaktami nie wnoszącymi znaczącego oporu.Zarówno złącza: amorficzny półprzewodnik ZnTe:Sb lub CdTe:In a metal Au jaki amorficzna warstwa a materiał (Cd,Mn)Te nie wnoszą żądnego dodatkowego oporu.W ostateczności dokładniejszy pomiar samego oporu kontaktu nie jest możliwy(przez jego nieznacząco mały wkład).Dalsza część doświadczalna zawiera wyniki uzyskane także na warstwachamorficznych (CdTe:I) napylonych w maszynie MBE u prof. T. Wojtowicza.W ramach charakteryzacji warstw amorficznych oprócz pomiarów prądowonapięciowychprzeprowadzono szereg innych badań.Wykonano analizy chropowatości (RMS) powierzchni napylonych jednomikronowych warstw: CdTe:In, CdTe:I oraz ZnTe:Sb. Wyniki zostały umieszczonew tabeli 5.3.1, a wykonane skany powierzchni widoczne są na rys. 5.3.6. Zestawionew tabeli 5.3.1 wyniki wskazują, że amorficzne warstwy o grubości 1 μm mająchropowatość RMS średnio 80 nm. Jednakże widać też, że RMS zależy od stanupowierzchni, na której powstaje warstwa. Gdy warstwa (B) CdTe:I napylana była nawzrośnięty wcześniej (w MBE) monokryształ (Cd,Mn)Te wynik chropowatościpowierzchni warstwy był najkorzystniejszy. Stopień nierówności tej powierzchni byłnajmniejszy w porównaniu z powierzchniami napylanymi na monokrystaliczne,polerowane mechanicznie i chemiczne podłoża.Rysunek 5.3.6. Obrazy wykonane mikroskopem AFM powierzchni różnych typów amorficznych warstwnapylanych na różnych podłożach (opis warstw i podłoży w tabeli 5.3.1).129