(Cd,Mn)Te - Instytut Fizyki PAN

W przypadku monowarstw ZnTe:Sb oraz CdTe:In przed rozpoczęciemwłaściwego procesu na około 8-10 minut przy ustabilizowanej temperaturze stolikaz podłożem, otwiera się komórkę efuzyjną z tellurem (grzaną do temperatury 280 °C) iobserwuje się na ekranie RHEED rozproszone nieregularne kropki. Obraz ten zanika ipoprawia się po kilku minutach, gdy otwierana jest komórka z ZnTe,a następnie komórka z domieszką Sb. Uporządkowany układ „streaks’ów”obserwowany jest aż do zakończenia procesu wzrostu.Zabieg z dostarczeniem do podgrzewanego podłoża nadmiaru telluruwykonywany jest w celu utrzymania stechiometrii podłoża (Cd:Te). Podczas, gdypodłoże jest grzane, tellur (z warstwy akumulacyjnej) jest odparowywany, a dodatkowemolekuły przychodzące do podłoża z komórki efuzyjnej (w czasie 8-10 min)zapobiegają całkowitemu zubożeniu powierzchni w tellur. Dzięki temu mamystechiometryczną, atomowo gładką powierzchnię gotową do procesu wzrostumonokrystalicznych warstw. Po takim procesie na podłożu z płytek (Cd,Mn)Tewzrastane są monokrystaliczne warstwy. Na stronie Te płytki wzrastana jest warstwaCdTe:In zaś na stronie Cd warstwa ZnTe:Sb. Po zakończonym procesie wzrostu lubnapylania warstwy amorficznej na powstałą warstwę w warunkach próżni napylana jestwarstwa Au, która dobrze zabezpiecza warstwę oraz stanowi dobry metaliczny kontakt.Jak zostanie to wyjaśnione w dalszej części pracy, kontakt warstwy półprzewodnikowej(monokrystalicznej jak i amorficznej) z metalem stanowi dobre wąskie złącze tunelowe.W przypadku hodowli warstwy CdTe:In podczas procesu wzrostu, opróczkomórek efuzyjnych z CdTe i In, we wzroście bierze udział komórka efuzyjnaz kadmem (która jest grzana do temperatury 150-180 °C). Zabieg ten stosowany jest,ponieważ prężność par Cd jest wyższa niż Te (rys. 4.4.1). Podczas wzrostuprzemieszczają się w stronę powierzchni dodatkowo molekuły Cd, które mająza zadanie uzupełnić niedobór Cd i utrzymać wzrastaną warstwę w równowadzestechiometrycznej. Procesy napylania przebiegają w zbliżony sposób jak procesywzrastania monokrystalicznych warstw. Zmienia się tylko temperatura podłoża,zaś temperatury w komórkach efuzyjnych są takie same, jak w przypadku wzrostuwarstw monokrystalicznych (tabela 4.4.1). Temperatura podłoża została ustalona napoziomie 80 °C podczas procesu napylania warstw ZnTe:Sb oraz CdTe:In. Temperaturętą wyznaczono na podstawie szeregu doświadczeń przeprowadzonych w maszynieMBE.104