- Page 1: INSTYTUT FIZYKI POLSKIEJ AKADEMII N
- Page 6 and 7: 1.1. CEL I STRESZCZENIE ROZPRAWYNin
- Page 8 and 9: Nowe pomysły na wykonanie kontakt
- Page 10 and 11: wewnętrzny efekt fotoelektryczny,
- Page 14 and 15: ozprawy.odpowiednia szerokość prz
- Page 16 and 17: Rysunek 2.1.7. Zależność absorpc
- Page 18 and 19: Mimo, że detektory promieniowania
- Page 20 and 21: Rysunek 2.2. 1. Prosta geometria de
- Page 22 and 23: Parametry wymagane od materiałów
- Page 24 and 25: Iloczyn μτ jest bardzo istotnym p
- Page 26 and 27: Pomiędzy serią elektrod (dynod) p
- Page 28 and 29: Rysunek 2.2.2. Porównanie uzyskane
- Page 30 and 31: Rysunek 2.2.4. Kryształy do produk
- Page 32 and 33: 2.3. MECHANIZM ZBIORU NOŚNIKÓW Ł
- Page 34 and 35: Sytuacja ta pozwala na przejście e
- Page 36 and 37: powierzchni (111) pomiędzy płaszc
- Page 38 and 39: Temperaturową zmianę szerokości
- Page 40 and 41: gdzie C solid oznacza skład molowy
- Page 42 and 43: Po stopieniu materiału źródłowe
- Page 44 and 45: Ze względu na materiał, o którym
- Page 46 and 47: Manipulując intencjonalnymi domies
- Page 48 and 49: Nr wytopuKryształy (Cd,Mn)Tekoncen
- Page 50 and 51: Związane jest to z polarnością k
- Page 52 and 53: W kolejnym kroku wkładamy ampułę
- Page 54 and 55: Obraz krawędzi płytki z licznymi
- Page 56 and 57: 17. J. D. Eskin, „Current state-o
- Page 58 and 59: 3. KONTAKTY ELEKTRYCZNEUzyskanie do
- Page 60 and 61: Odpowiedni dobór metalu (pracy wyj
- Page 62 and 63:
Przykładowo dla CdTe typu p praca
- Page 64 and 65:
przypowierzchniowej półprzewodnik
- Page 66 and 67:
Cały proces odbywa się w warunkac
- Page 68 and 69:
W przypadku CdTe i (Cd,Zn)Te wielu
- Page 70 and 71:
Wszystkie metody opierają się na
- Page 72 and 73:
Prace [27-29] dokładnie opisują s
- Page 74 and 75:
W kwestii obniżenia LC autorzy pra
- Page 76 and 77:
BIBLIOGRAFIA DO ROZDZIAŁU 31. T. P
- Page 78 and 79:
4. EPITAKSJA Z WIĄZEK MOLEKULARNYC
- Page 80 and 81:
Temperatura źródła zależy od ty
- Page 82 and 83:
W dolnej części komory umieszczon
- Page 84 and 85:
Komora reakcyjna dodatkowo opatrzon
- Page 86 and 87:
Zakładając, że transport atomów
- Page 88 and 89:
4.1. FIZYCZNE PODSTAWY WZROSTU WARS
- Page 90 and 91:
dysocjacja adsorbowanych molekuł;
- Page 92 and 93:
W przypadku elektronów o energii r
- Page 94 and 95:
Zależność opisującą prawdopodo
- Page 96 and 97:
Związane jest to z ewolucją mecha
- Page 98 and 99:
Płytki o grubości 2-3 mm poddawan
- Page 100 and 101:
Powierzchnia zbyt chropowata by wyk
- Page 102 and 103:
4.4. STANDARDOWY PRZEBIEG PROCESÓW
- Page 104 and 105:
W przypadku monowarstw ZnTe:Sb oraz
- Page 106 and 107:
BIBLIOGRAFIA DO ROZDZIAŁU 41. Z. R
- Page 108 and 109:
jaką jest napylanie na półizoluj
- Page 110 and 111:
Rysunek 5.1.1. Charakterystyka I-V
- Page 113 and 114:
5.2. MONOKRYSTALICZNE WARSTWY JAKO
- Page 115 and 116:
W obszarze złącza monokrystaliczn
- Page 117 and 118:
Nr próbkiPodłożeWarstwaFWHM(arc
- Page 119 and 120:
Badania te na warstwach monokrystal
- Page 121 and 122:
Wykonane także zostały (metodą S
- Page 123 and 124:
5.3. AMORFICZNE WARSTWY JAKO KONTAK
- Page 125 and 126:
Poziom energii Fermiego jest blisko
- Page 127 and 128:
Niezależnie przez którą z sond (
- Page 129 and 130:
Na rys. 5.3.4 B i 5.3.5 B widać li
- Page 131 and 132:
Pamiętać trzeba, że dla warstwy
- Page 133 and 134:
5.3.1. OPTYMALIZACJA GRUBOŚCI WARS
- Page 135 and 136:
We wszystkich trzech przypadkach mo
- Page 137 and 138:
Jednak w naszej opinii powierzchnia
- Page 139 and 140:
Rysunek 5.3.1.6. Charakterystyki I-
- Page 141 and 142:
Jedyną istotną informacją jaką
- Page 143 and 144:
Na podstawie tych pomiarów można
- Page 145 and 146:
Po wyznaczeniu charakterystyk I-V z
- Page 147 and 148:
5.3.4. PASYWACJA POWIERZCHNIDo wyko
- Page 149 and 150:
Pasywacja roztworem (NH 4 ) 2 SIII)
- Page 151 and 152:
6. UKŁADY POMIAROWE WYKORZYSTANE D
- Page 153 and 154:
6.3. POMIARY SKŁADU PIERWIATKOWEGO
- Page 155 and 156:
6.4. POMIARY GRUBOŚCI WARSTW, ANAL
- Page 157 and 158:
Stała Halla (R H ) bezpośrednio w
- Page 159 and 160:
Z powodu odpowiednio wysokich (~10
- Page 161 and 162:
Rysunek 6.7.1. Schemat zasady dzia
- Page 163 and 164:
Rysunek 6.7.2. A) Schemat ułożeni
- Page 165 and 166:
7 WNIOSKI I PODSUMOWANIEBadania pod
- Page 167 and 168:
Na podstawie badań przedstawionych